[发明专利]一种应用表面粗糙型陶瓷盘的晶圆下蜡方法

权利要求书

1.一种应用表面粗糙型陶瓷盘的晶圆下蜡方法，其特征在于：所述下蜡方法包括以下步骤：

1)提供一陶瓷盘，所述陶瓷盘用于晶圆上蜡工艺，所述陶瓷盘表面粗糙度为0.3；

2)晶圆上蜡研磨完成后，对所述陶瓷盘边缘进行清洁；

3)对所述陶瓷盘进行加热，使蜡融化，在蜡融化的同时往晶圆边缘四周涂蜡；

4)对所述陶瓷盘进行加热10分钟并对所述陶瓷盘的晶圆推动下蜡区进行涂蜡；

5)提供一推动件，使用所述推动件将晶圆从下蜡区轻轻推动下蜡。

2.如权利要求1所述的一种应用表面粗糙型陶瓷盘的晶圆下蜡方法，其特征在于：所述步骤3)中的所述陶瓷盘加热至80℃。

3.如权利要求1所述的一种应用表面粗糙型陶瓷盘的晶圆下蜡方法，其特征在于：所述步骤5)中的所述推动件为棉棒。

4.一种应用表面粗糙型陶瓷盘的晶圆下蜡方法，其特征在于：所述下蜡方法包括以下步骤：

1)提供一陶瓷盘，所述陶瓷盘用于晶圆上蜡工艺，所述陶瓷盘表面粗糙度为0.3；

2)晶圆上蜡研磨完成后，对所述陶瓷盘边缘进行清洁；

3)对所述陶瓷盘进行加热，使蜡融化；

4)提供一推动件，在所述陶瓷盘加热10分钟后，使用所述推动件轻轻推动晶圆，能推动即可进行下一步骤；

5)将所述陶瓷盘放置于水浴加热的去蜡液中，将晶圆背面朝下，在晶圆下放置一培养皿，用以晶圆下蜡脱离后接住晶圆；

6)每隔半小时取出所述陶瓷盘使用所述推动件轻轻推动晶圆，若轻松推动取下晶圆即可完成下蜡工序，若无法推动则继续浸泡并重复以上操作，在浸泡过程中会出现晶圆直接脱落于培养皿中完成下蜡工序的情况。

5.如权利要求4所述的一种应用表面粗糙型陶瓷盘的晶圆下蜡方法，其特征在于：所述步骤3)中的所述陶瓷盘加热至80℃。

6.如权利要求4所述的一种应用表面粗糙型陶瓷盘的晶圆下蜡方法，其特征在于：所述步骤4)和步骤6)中的所述推动件为棉棒。

7.如权利要求4所述的一种应用表面粗糙型陶瓷盘的晶圆下蜡方法，其特征在于：所述步骤5)中的水浴加热温度为80℃。