[发明专利]导电性多孔陶瓷基板及其制造方法有效
申请号: | 201910598815.7 | 申请日: | 2019-07-04 |
公开(公告)号: | CN110683856B | 公开(公告)日: | 2022-04-12 |
发明(设计)人: | 金炳学;白承佑;崔準凡;金仁雄;郑宗烈;李春茂;金圭夏;愼仁范 | 申请(专利权)人: | 脉科技股份有限公司;特立恩股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/687 | 分类号: | H01L21/687;C04B38/00;C04B35/46;C04B35/622 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 马爽;臧建明 |
地址: | 韩国大邱达*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 导电性 多孔 陶瓷 及其 制造 方法 | ||
本发明涉及一种导电性多孔陶瓷基板及其制造方法,更具体而言,涉及一种为了不使用作以真空吸附固定较薄的半导体晶片基板或显示基板的吸盘或载台等的多孔陶瓷基板产生静电而附加有抗静电功能的导电性多孔陶瓷基板及其制造方法。
技术领域
本发明涉及一种导电性多孔陶瓷基板及其制造方法,更具体而言,涉及一种为了不使用作以真空吸附固定较薄的半导体晶片基板或显示基板的吸盘或载台等的多孔陶瓷基板产生静电而附加有抗静电功能的导电性多孔陶瓷基板及其制造方法。
背景技术
多孔陶瓷基板在制造半导体的多个制程中主要用作安装、固定半导体晶片或玻璃面板等显示基板的吸盘(根据制造公司而称为“吸盘”或“载台”),除此之外,作为使用于作为水处理用气泡产生装置的通气管、热交换器、水处理用分离膜、气体分离膜及各种支撑体等的基板,在以各种陶瓷原材料粉末作为主原料而成形为吸盘或载台形状后,在高温下烧结而制造。在这种多孔陶瓷基板的主体形成有无数个供空气通过的微小孔隙或可供水通过的程度的孔隙,从而可利用真空来吸附固定安装到上部的被加工物,或者用作使水等液体通过的分离膜。
另一方面,在多孔陶瓷基板用作半导体晶片固定用吸盘的情况下,吸附固定在作为绝缘体的多孔陶瓷基板上的半导体晶片分离而产生少量的摩擦静电,以往,半导体晶片的厚度厚至几乎不受这种静电的影响的程度而几乎不发生因静电引起的不良,因此未产生较大问题。
然而,最近因智能手机、智能电视(Television,TV)等电子产品逐渐轻量化、纤薄化的趋势而使用于这些电子产品的半导体晶片与各种显示基板的厚度也逐渐变薄且尺寸也逐渐大面积化,印刷到这些电子产品上的图案微小化,因此频繁地产生在将半导体晶片及显示基板安装到多孔陶瓷基板上或从所述多孔陶瓷基板分离的过程中产生的静电使集成在半导体晶片与显示基板上的半导体元件等电子零件带电而导致发生印刷图案短路等不良,或者在从吸盘分离晶片与显示基板的过程中因静电而晶片产生龟裂等问题,因此实情为需要一种具有抗静电功能的多孔陶瓷基板。
如上所述,为了解决因以往在半导体加工装置中的吸盘或载台产生的静电引起的问题,在韩国公开专利第10-2010-0109098号(以下,称为“现有发明1”)及韩国公开专利第10-2010-0121895号(以下,称为“现有发明2”)中开发出一种具有抗静电功能的吸盘或载台。
现有发明1的目的在于提供一种作业载台,将在载台的与基板接触的面产生的静电最小化,并且制造费用减少,可适当地调节面电阻,摩擦系数较低且耐磨耗性提高。为此,现有发明1的特征在于:如图1所示,在金属材料的载台上具备碳纳米管涂覆膜25。
然而,在现有发明1中,主体本身包括铝等金属材料而并非多孔陶瓷,经由另外的涂覆制程对主体表面涂布带有导电性的碳纳米管涂覆膜来实现抗静电。因此,现有发明1产生如下问题:制作制程复杂,需要较多的制作费用,如果涂覆在载台主体上的碳纳米管涂覆膜受损,则需更换整个载台。进而,在载台主体的上部表面形成密闭的涂覆膜,因此存在无法利用真空吸附大面积的薄晶片或显示基板的问题。
另一方面,现有发明2的特征在于:如图2所示,包括:基底层11,包含玻璃原材料;以及抗静电层12,在所述基底层上对掺杂有杂质的二氧化钛(TiO2)进行结晶化热处理而使所述基底层具有抗静电功能。
与现有发明1的作业载台相似,在现有发明2中基底主体为玻璃原材料,现有发明2也需经由另外的沉积及热处理制程在玻璃原材料基底层形成抗静电层,因此存在制作制程复杂、需要较多的制作时间及制作费用的问题、以及在抗静电层受损的情况下需更换整个基板的问题,还存在无法进行真空吸附的结构性问题。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造