[发明专利]导电性多孔陶瓷基板及其制造方法有效
申请号: | 201910598815.7 | 申请日: | 2019-07-04 |
公开(公告)号: | CN110683856B | 公开(公告)日: | 2022-04-12 |
发明(设计)人: | 金炳学;白承佑;崔準凡;金仁雄;郑宗烈;李春茂;金圭夏;愼仁范 | 申请(专利权)人: | 脉科技股份有限公司;特立恩股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/687 | 分类号: | H01L21/687;C04B38/00;C04B35/46;C04B35/622 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 马爽;臧建明 |
地址: | 韩国大邱达*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 导电性 多孔 陶瓷 及其 制造 方法 | ||
1.一种导电性多孔陶瓷基板的制造方法,其特征在于,包括:
混合粉末制备步骤,在TiO2粉末中添加MnCO3粉末、Cr2O3粉末及石墨粉末而进行混合后,进行干燥而制备混合粉末;
加压成形步骤,将MnCO3、Cr2O3、TiO2及石墨的所述混合粉末放入到模具而施加压力来形成成形体;以及
烧结步骤,在大气中的空气环境下以1000℃以上且1300℃以下的温度对在所述加压成形步骤中成形的所述成形体进行烧结;且
所述混合粉末制备步骤在作为主原料的所述TiO2粉末中添加所述MnCO3粉末及所述Cr2O3粉末,以9∶1的摩尔比混合所述MnCO3粉末与所述Cr2O3粉末,相对于所述TiO2粉末以5%以上且15%以下的摩尔比混合所混合的所述MnCO3粉末及所述Cr2O3粉末,
在所述烧结步骤中,TiO2由MnCO3的Mn3+的受体掺杂及由Cr2O3的Cr6+的供体掺杂来实现半导体化,使得陶瓷基板经所述烧结步骤后的体积电阻为106Ω·cm以上至109Ω·cm以下的范围。
2.根据权利要求1所述的导电性多孔陶瓷基板的制造方法,其特征在于,相对于MnCO3、Cr2O3及TiO2混合粉末的总量,以5重量%以上且15重量%以下添加所述石墨粉末。
3.根据权利要求1所述的导电性多孔陶瓷基板的制造方法,其特征在于,
所述导电性多孔陶瓷基板的孔隙率为20%以上且50%以下。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造