[发明专利]一种大球盖菇富锌富硒高产栽培的基质及其制备方法与采用该基质的栽培方法在审
| 申请号: | 201910593961.0 | 申请日: | 2019-07-03 |
| 公开(公告)号: | CN110199773A | 公开(公告)日: | 2019-09-06 |
| 发明(设计)人: | 邓海平;宋文俊;刘开国;冮洁;邓喆;曲鹏坤;李佳宁;袁家诚;杨韬;石燕;梁玖华;李晓松;陈瑶;刘宪超 | 申请(专利权)人: | 铜仁科学院;大连民族大学;贵州程耀食用菌发展有限公司 |
| 主分类号: | A01G18/00 | 分类号: | A01G18/00;A01G18/20 |
| 代理公司: | 北京元本知识产权代理事务所 11308 | 代理人: | 王红霞 |
| 地址: | 554300 *** | 国省代码: | 贵州;52 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 大球盖菇 基质 富硒 高产栽培 亚硒酸钠 微量元素 硫酸锌 石灰水 制备 篌竹 发酵 基质栽培 细菌污染 栽培管理 栽培基质 栽培地 采收 富集 垄面 原种 竹粉 丰产 高产 栽培 赋予 | ||
本发明公开的一种大球盖菇富锌富硒高产栽培的基质,原材料包括光箨篌竹、石灰水、亚硒酸钠或硫酸锌。还提供了制备这种基质的方法,包括将光箨篌竹砍伐粉碎成粉,然后向竹粉中添加石灰水进行发酵,发酵后再与亚硒酸钠或硫酸锌均匀混合,即得栽培基质。同时还提供了采用该基质栽培大球盖菇的方法,包括(1)严格挑选隐性细菌污染原种;(2)富锌富硒添加浓度设置;(3)栽培地的选择;(4)设置丰产梗垄面;(5)栽培管理(6)采收。其优点在于,能够使大球盖菇稳定高产,也与其他微量元素例如Fe、Ni等呈正相关富集,促使大球盖菇其他的微量元素也显著提高,赋予大球盖菇更高的品质,提升产品在市场上的竞争力。
技术领域
本发明属于菌类栽培技术领域,具体为一种大球盖菇富锌富硒高产栽培的基质及其制备方法与采用该基质的栽培方法。
背景技术
大球盖菇(Stropharia rugosoannulata Farlow)为真菌界,担子菌门,担子菌纲,伞菌目,球盖菇科,球盖菇属,别名皱环球盖菇、皱球盖菇、酒红色球盖菇、斐氏球盖菇等。1922年首次发现于美国,1980年经上海农科院引进我国,20世纪90年代在国内开始逐步推广。大球盖菇是一种可以应用稻草、玉米秸秆等农作物副产物栽培的草腐食用菌,菌丝抗杂菌能力强,可生料或熟料栽培。其栽培技术简单,栽培原材料丰富,栽培时间短,产量较高,经济效益明显。其子实体肉质细嫩、脆、润滑,伴有清香,颜色亮丽,口感好,营养丰富含有多糖、维生素和矿质元素等多种活性物质,经济价值高,广受消费者喜爱。但随全国食用菌产业扶贫强劲推进,市场竞争异常激烈。大球盖菇种植不仅需高产稳产,更要富含更多的营养价值,因此,如何在提高大球盖菇质量的同时还能高产是本领域丞待解决的问题。
发明内容
为了解决现有技术中丞待解决如何在提高大球盖菇质量的同时还能高产的问题,本发明提供了一种大球盖菇富锌富硒高产栽培的基质及其制备方法与采用该基质的栽培方法,实现的目的为,使大球盖菇富含更多的微量元素及品质提升,能够达到稳定高产,在提高大球盖菇经济潜力的同时,也不会与粮食争地,避免了限制粮食产量的缺陷。
为了实现上述目的,本发明提供的一种大球盖菇富锌富硒高产栽培的基质,原材料包括光箨篌竹、石灰水、亚硒酸钠或硫酸锌,石灰水在每100kg光箨篌竹粉中占的质量百分比为1%,亚硒酸钠在每100kg湿重光箨篌竹粉中添加的量为20mg-60mg,硫酸锌在每100kg湿重光箨篌竹粉中添加的量为200mg。
本发明还提供了制备上述栽培基质的方法,将光箨篌竹砍伐粉碎成粉,然后向竹粉中添加石灰水,在25-32℃湿透堆制发酵10天,第一次洒水翻堆发酵7天,第二次洒水翻堆保证光箨篌竹物料充分发酵7天,发酵后光箨篌竹物料含水质量调节为65%-70%,然后用10kg的水与亚硒酸钠或硫酸锌均匀混合后撒向发酵后的光箨葔竹物料,即得栽培基质。
本发明还提供了采用上述基质培富锌富硒大球盖菇高产的栽培方法,包括如下步骤:
(1)严格挑选隐性细菌污染原种:将原种按倍量制备,挑选齐头并进长势快的原种作扩繁栽培种,所选原种需在冷库冷藏7-10天,用鼻闻棉塞有无腥臭异味,若有则表明原种已被细菌污染,应坚决淘汰;
(2)富锌富硒添加浓度设置:确定亚硒酸钠在每100kg湿重光箨篌竹粉中添加的量为20mg-60mg,硫酸锌在每100kg湿重光箨篌竹粉中添加的量为200mg;
(3)栽培地的选择:选择的栽培地要土地平整、排灌运输方便;
(4)设置丰产梗垄面:以露天平铺建垄栽培,在垄底中央处设置高10cm,宽15cm,长随场地的丰产土梗,利于透气发菌与出菇,铺料垄呈龟背型,垄高20cm,宽0.4m,垄间走道0.6m,投放栽培基质,播种按品字型点播,播种间距15cm,播种后料面覆盖3cm-5cm土壤,再盖2cm-4cm杂草遮光,杂草铺盖方向与垄垂直防风吹;
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