[发明专利]一种零静态电流、带过流保护的功率开关电路及实现方法有效

专利信息
申请号: 201910593782.7 申请日: 2019-07-03
公开(公告)号: CN110176856B 公开(公告)日: 2021-06-08
发明(设计)人: 魏郅 申请(专利权)人: 上海南芯半导体科技有限公司
主分类号: H02M1/32 分类号: H02M1/32;H02H9/02
代理公司: 成都众恒智合专利代理事务所(普通合伙) 51239 代理人: 刘华平
地址: 200120 上海市浦东新区中*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 静态 电流 保护 功率 开关电路 实现 方法
【权利要求书】:

1.一种零静态电流、带过流保护的功率开关电路,其特征在于,包括具有信号输入端和信号输出端的前级驱动电路,连接在前级驱动电路的信号输入端上的使能信号EN,连接在前级驱动电路的信号输出端上的电流镜电路,以及连接在电流镜电路上的控制电路;

所述控制电路包括漏极连接在电流镜电路上的MOS管M1,栅极连接在电流镜电路上的MOS管Msns,一端分别与MOS管Msns的漏极和MOS管M1的栅极连接、另一端与MOS管M1源极连接的电阻R1,栅极与MOS管Msns的栅极连接、漏极与MOS管M1源极连接的MOS管Mpass,所述MOS管Msns、Mpass的源极为电源输入端VPOS,所述MOS管Mpass的漏极为电源输出端VNEG,所述前级驱动电路、电流镜电路均与电源输入端VPOS连接;

所述前级驱动电路包括源极相互连接的MOS管M4和MOS管M5,连接在MOS管M4漏极的电阻R2,漏极连接在电阻R2另一端的MOS管M6,以及漏极连接在MOS管M5漏极的MOS管M7,所述MOS管M6、M7的源极均与电路的公共接地端VSS连接,所述MOS管M5的栅极与MOS管M4的漏极连接,所述MOS管M4的栅极与MOS管M5的漏极连接,所述MOS管M6的栅极连接使能信号EN,所述使能信号EN通过非门INV与MOS管M7的栅极连接,所述MOS管M4的源极与电源输入端VPOS连接,所述MOS管M4的漏极与电流镜电路连接;

所述电流镜电路包括栅极相互连接的MOS管M2和MOS管M3,所述MOS管M3的漏极分别与MOS管M4的漏极、MOS管Msns的栅极连接,所述MOS管M2的漏极与MOS管M1的漏极连接,所述MOS管M2的栅极和漏极连接,所述MOS管M2、M3的源极均与电源输入端VPOS连接。

2.如权利要求1所述的一种零静态电流、带过流保护的功率开关电路的实现方法,其特征在于,包括如下步骤:

(a1)当使能信号EN为低电平时,MOS管M6的栅极为低电平,MOS管M7的栅极为高电平,MOS管M7导通的同时拉低MOS管M4栅极的电压,使得MOS管M4导通;

(a2)MOS管M4的导通使得MOS管Mpass栅极的电压提高为Vpos,因此,MOS管Mpass和MOS管Msns关断,此时的电路中没有导通器件,使得整个电路的静态电流为零。

3.如权利要求1所述的一种零静态电流、带过流保护的功率开关电路的实现方法,其特征在于,包括如下步骤:

(b1)当使能信号EN为高电平时,MOS管M6的栅极为高电平,MOS管M7的栅极为低电平,MOS管M6导通的同时通过电阻R2拉低MOS管Mpass栅极的电压,使得MOS管Mpass和MOS管Msns导通;

(b2)在MOS管Mpass导通之后,输出电流Iout逐渐增大,因此,MOS管Mpass的Vds逐渐增大,Vds的计算公式如下:

Vds=Vpos–Vneg;

(b3)此时,忽略MOS管Msns的导通电阻,则电阻R1上的电压与Vds相等,在电阻R1上的电压值达到MOS管M1的导通电压Vth时,MOS管M1导通;

(b4)电流镜电路上拉MOS管Mpass和MOS管Msns的栅极电压,降低MOS管Mpass的Vgs,进一步增加MOS管Mpass的Vds,从而形成一个正反馈使得输出电流Iout逐渐减小;

(b5)MOS管Mpass的Vds持续增加,直至MOS管Msns镜像到的电流等于Vgs_m1/R1时,输出电流Iout稳定为K*(Vgs_m1/R1),整个电路的工作状态保持稳定;

其中,Vgs_m1为MOS管M1的栅极与源极的电压差,K为MOS管Msns和MOS管Mpass的镜像电流比例。

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