[发明专利]电阻元件及其制造方法

说明书

本发明提供一种电阻元件及其制造方法。该电阻元件能够防止电极与电阻层之间的短路。电阻元件包括：半导体基板(1)；第1绝缘膜(2)，其设于半导体基板上；电阻层(3a)，其选择性地设于第1绝缘膜上；第1辅助膜(3b)，其自电阻层分开；第2辅助膜(3c)，其在与第1辅助膜不同的方向上自电阻层分开；第2绝缘膜(4)，其以覆盖电阻层和所述第1辅助膜及所述第2辅助膜的方式设于第1绝缘膜上；第1电极(5a)，其与电阻层连接，配置于第2绝缘膜的位于第1辅助膜的上方的部分上；以及第2电极(5b)，其与第1电极分开地与电阻层连接，配置于第2绝缘膜的位于第2辅助膜的上方的部分上。

技术领域

本发明涉及电阻元件及其制造方法。

背景技术

作为半导体集成电路(IC)等半导体装置用的电阻元件，公知有一种在硅基板上设有第1绝缘层、在该第1绝缘层上设有薄膜的电阻层、在该电阻层上以电阻层的相对的侧边暴露的方式设有第2绝缘膜的电阻元件(例如，参照专利文献1。)。在专利文献1所记载的电阻元件中，以在第2绝缘膜上延伸的方式设有两个电极，并在两个电极连接有接合线(日文：ボンディングワイヤ)。

然而，在专利文献1所记载的电阻元件中，在进行线接合(日文：ワイヤボンディング)时，若在第2绝缘膜产生裂纹，则可能使电极和电阻层短路。

专利文献1：日本特开平8－306861号公报

发明内容

发明要解决的问题

鉴于上述课题，本发明的目的在于提供能够防止电极与电阻层之间的短路的电阻元件及其制造方法。

用于解决问题的方案

本发明的一技术方案的主旨在于一种电阻元件，该电阻元件具备：(a)半导体基板；(b)第1绝缘膜，其设于半导体基板上；(c)电阻层，其选择性地设于第1绝缘膜上；(d)第1辅助膜，其自电阻层分开；(e)第2辅助膜，其在与第1辅助膜不同的方向上自电阻层分开；(f)第2绝缘膜，其以覆盖电阻层和第1辅助膜及第2辅助膜的方式设于第1绝缘膜上；(g)第1电极，其与电阻层连接，配置于第2绝缘膜的位于第1辅助膜的上方的部分上；以及(h)第2电极，其与第1电极分开地与电阻层连接，配置于第2绝缘膜的位于第2辅助膜的上方的部分上。

本发明的另一技术方案的主旨在于提供一种电阻元件的制造方法，该电阻元件的制造方法包括以下工序：(a)在半导体基板上形成第1绝缘膜；(b)在第1绝缘膜上分别选择性地形成电阻层、自电阻层分开的第1辅助膜、在与第1辅助膜不同的方向上自电阻层分开的第2辅助膜；(c)以覆盖电阻层和第1辅助膜及第2辅助膜的方式在第1绝缘膜上沉积第2绝缘膜；(d)在第2绝缘膜分别开设使电阻层的靠第1辅助膜侧的一部分暴露的第1接触孔和使电阻层的靠第2辅助膜侧的一部分暴露的第2接触孔；以及(e)在第1辅助膜的上方形成经由第1接触孔与电阻层连接的第1电极，在第2辅助膜的上方形成经由第2接触孔与电阻层连接的第2电极。

发明的效果

采用本发明，能够提供可防止电极与电阻层之间的短路的电阻元件及其制造方法。

附图说明

图1是表示本发明的实施方式所涉及的电阻元件的一个例子的剖视图。

图2是表示本发明的实施方式所涉及的电阻元件的一个例子的俯视图。

图3是表示掺杂多晶硅的温度系数与剂量之间的关系的图表。

图4是表示本发明的实施方式所涉及的电阻元件的效果的剖视图。

图5是用于说明本发明的实施方式所涉及的电阻元件的制造方法的一个例子的工序剖视图。