[发明专利]电阻元件及其制造方法在审
| 申请号： | 201910584376.4 | 申请日： | 2019-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN110797326A | 公开（公告）日： | 2020-02-14 |
| 发明（设计）人： | 齐藤俊;山路将晴;佐佐木修;澄田仁志 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64;H01L49/02 |
| 代理公司： | 11277 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电阻层 辅助膜 绝缘膜 电极 电阻元件 半导体基板 短路 配置 覆盖 制造 | ||
1.一种电阻元件，其特征在于，
该电阻元件具备：
半导体基板；
第1绝缘膜，其设于所述半导体基板上；
电阻层，其选择性地设于所述第1绝缘膜上；
第1辅助膜，其自所述电阻层分开；
第2辅助膜，其在与所述第1辅助膜不同的方向上自所述电阻层分开；
第2绝缘膜，其以覆盖所述电阻层和所述第1辅助膜及所述第2辅助膜的方式设于所述第1绝缘膜上；
第1电极，其与所述电阻层连接，配置于所述第2绝缘膜的位于所述第1辅助膜的上方的部分上；以及
第2电极，其与所述第1电极分开地与所述电阻层连接，配置于所述第2绝缘膜的位于所述第2辅助膜的上方的部分上。
2.根据权利要求1所述的电阻元件，其特征在于，
所述第1辅助膜和所述第2辅助膜由与所述电阻层相同的材料形成。
3.一种电阻元件的制造方法，其特征在于，
该电阻元件的制造方法包括以下工序：
在半导体基板上形成第1绝缘膜；
在所述第1绝缘膜上分别选择性地形成电阻层、自所述电阻层分开的第1辅助膜、在与所述第1辅助膜不同的方向上自所述电阻层分开的第2辅助膜；
以覆盖所述电阻层和所述第1辅助膜及所述第2辅助膜的方式在所述第1绝缘膜上沉积第2绝缘膜；
在所述第2绝缘膜上分别开设使所述电阻层的靠所述第1辅助膜侧的一部分暴露的第1接触孔和使所述电阻层的靠所述第2辅助膜侧的一部分暴露的第2接触孔；以及
在所述第1辅助膜的上方形成经由所述第1接触孔与所述电阻层连接的第1电极，在所述第2辅助膜的上方形成经由所述第2接触孔与所述电阻层连接的第2电极。
4.根据权利要求3所述的电阻元件的制造方法，其特征在于，
所述第1辅助膜和所述第2辅助膜由与所述电阻层相同的材料形成。
5.根据权利要求4所述的电阻元件的制造方法，其特征在于，
在所述第1绝缘膜上分别选择性地形成电阻层、自所述电阻层分开的第1辅助膜、在与所述第1辅助膜不同的方向上自所述电阻层分开的第2辅助膜的工序包括以下工序：
在所述第1绝缘膜上形成多晶硅层；以及
通过使所述多晶硅层图案化，从而形成所述电阻层、所述第1辅助膜以及所述第2辅助膜。
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