[发明专利]半导体存储装置以及存储器系统

权利要求书

1.一种半导体存储装置，具备：

第1及第2平面，分别包含存储单元阵列，该存储单元阵列包含至少能够保存第1及第2数据的多个存储单元；

控制电路，以对读出动作及写入动作进行控制的方式构成；以及

输入输出电路；且

所述第1数据通过与第1读出电压对应的第1读出动作确定，

所述第2数据通过与第2读出电压对应的第2读出动作及与第3读出电压对应的第3读出动作确定，

在从外部控制器接收指示所述第1数据的读出的第1读出命令的情况下，所述控制电路从所述第1平面读出所述第1数据，从所述第2平面读出所述第2数据，所述输入输出电路将从所述第1平面读出的所述第1数据与从所述第2平面读出的所述第2数据依次输出，

在从所述外部控制器接收指示所述第2数据的读出的第2读出命令的情况下，所述控制电路从所述第1平面读出所述第2数据，从所述第2平面读出所述第1数据，所述输入输出电路将从所述第2平面读出的所述第1数据与从所述第1平面读出的所述第2数据依次输出。

2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中

所述输入输出电路在所述第1平面及所述第2平面的一者中的所述第1读出动作结束之后，且所述第1平面及所述第2平面的另一者中的所述第3读出动作结束之前，开始从所述第1平面读出的所述第1数据的输出。

3.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中

所述控制电路于在执行所述第1读出命令中接收到所述第2读出命令的情况下，在与所述第1读出命令对应的所述第3读出动作结束之前，开始与所述第2读出命令对应的所述第1读出动作。

4.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中

所述控制电路在从所述外部控制器接收到写入命令的情况下，将所述第1数据写入至所述第1平面及所述第2平面的一者，将所述第2数据写入至所述第1平面及所述第2平面的另一者。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体存储装置，其中

所述第1平面包含：

行解码器，连接有共通连接于所述多个存储单元的栅极的字线；

感测放大器，分别连接有连接于所述多个存储单元的多条位线；以及

数据寄存器，连接于所述感测放大器。

6.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体存储装置，其还具备：

第1地址寄存器，连接于所述输入输出电路及所述第1平面；以及

第2地址寄存器，连接于所述输入输出电路及所述第2平面；且

所述输入输出电路在从所述外部控制器输入有第1地址的情况下，将所述第1地址转换为与所述第1平面对应的第2地址及与所述第2平面对应的第3地址之后，将所述第2地址发送至所述第1地址寄存器，将所述第3地址发送至所述第2地址寄存器。

7.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体存储装置，其中

所述输入输出电路当从所述外部控制器输入有写入数据时，将所述写入数据的第1部分发送至所述第1平面，将所述写入数据的第2部分发送至所述第2平面。