[发明专利]包括相对表面上的接触指的半导体装置在审
| 申请号： | 201910578954.3 | 申请日： | 2019-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN112151528A | 公开（公告）日： | 2020-12-29 |
| 发明（设计）人： | 陈建德;张聪;黄湘茹;杨旭一;谭玉英;陈含笑 | 申请（专利权）人： | 西部数据技术公司 |
| 主分类号： | H01L25/18 | 分类号： | H01L25/18;H01L23/495;H01L23/498 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 邱军 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 包括 相对 表面上 接触 半导体 装置 | ||
1.一种半导体装置，包括：
衬底，包含第一表面和相对的第二表面；
一个或多个接触指的第一集合，在所述衬底的第一表面上；
至少一个半导体裸芯，安装在所述衬底的第二表面上并且电耦接到所述衬底；
模塑料，包封所述至少一个半导体裸芯；
一个或多个接触指的第二集合，在所述模塑料的表面上；以及
一个或多个电连接体，在所述一个或多个接触指的第二集合与所述衬底和所述至少一个半导体中的至少一者之间物理地延伸。
2.如权利要求1所述的半导体装置，其中，所述一个或多个电连接体包含垂直引线。
3.如权利要求1所述的半导体装置，其中，所述一个或多个电连接体包含导电材料的垂直柱。
4.如权利要求1所述的半导体装置，其中，所述一个或多个电连接体包含一个或多个焊料球。
5.如权利要求1所述的半导体装置，其中，所述一个或多个电连接体在所述一个或多个触指的第二集合与所述至少一个半导体裸芯中的最上部半导体裸芯之间延伸。
6.如权利要求1所述的半导体装置，其中，所述一个或多个电连接体在所述一个或多个接触指的第二集合与所述衬底之间延伸。
7.如权利要求1所述的半导体装置，其中，所述一个或多个接触指的第二集合包含在所述模塑料的表面的两个半部上的多个接触指。
8.如权利要求1所述的半导体装置，其中，所述一个或多个接触指的第二集合包含在所述模塑料的表面的一个半部上的多个接触指。
9.如权利要求1所述的半导体装置，其中，所述至少一个半导体裸芯包含多个闪速存储器裸芯。
10.如权利要求9所述的半导体装置，其中，所述至少一个半导体裸芯还包含安装在所述衬底的第二表面上的区域内的控制器裸芯。
11.如权利要求10所述的半导体装置，其中，所述衬底的第一表面在与所述衬底的第二表面上的包含所述控制器裸芯的区域相对的区域中没有来自所述接触指的第一集合的接触指。
12.一种平面网格阵列半导体装置，配置为可移除地插入主机装置和从主机装置移除，所述平面网格阵列半导体装置包含：
衬底；
至少一个半导体裸芯，安装在所述衬底上并且电耦接到所述衬底；
模塑料，包封所述至少一个半导体裸芯；
所述衬底的表面和所述模塑料的表面限定所述平面网格阵列半导体装置的第一主表面和相对的第二主表面；
一个或多个接触指的第一集合，在所述平面网格阵列半导体装置的第一表面上并且电耦接到所述衬底；
一个或多个接触指的第二集合，在所述平面网格阵列半导体装置的第二表面上；以及
一个或多个电连接体，在所述一个或多个接触指的第二集合与所述衬底和所述至少一个半导体中的至少一者之间物理地延伸。
13.如权利要求12所述的半导体装置，其中，所述平面网格阵列半导体装置根据SD卡、Nano卡、多媒体卡和SIM卡标准中的一个配置。
14.如权利要求12所述的半导体装置，其中，所述平面网格阵列半导体装置根据SD和外围组件互连高速总线标准中的一个配置。
15.如权利要求12所述的半导体装置，其中，所述一个或多个电连接体包括引线、导电材料的柱、至少一个焊料球和包含导电体的穿模通孔中的一个。
16.如权利要求12所述的半导体装置，其中，所述平面网格阵列半导体装置根据SD卡、Nano卡、多媒体卡和SIM卡标准中的一个配置。
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