[发明专利]测试结构和测试方法

说明书

本申请提供了一种测试结构和测试方法，其中，该测试结构包括：至少一个待测试器件组，待测试器件组包括多个串联待测试的阻变器件；多个第一开关，第一开关一一对应地与阻变器件并联；至少两个测试电极，待测试器件组的两端分别电连接一个测试电极。解决了现有技术中需要对MTJ等阻变器件逐个进行测试时，导致的测试效率较低的技术难题。

技术领域

本申请涉及存储器领域，具体而言，涉及一种测试结构和测试方法。

背景技术

近年来发展迅速的磁性随机存储器MRAM具有优异的特性：克服了SRAM面积大，尺寸微缩后漏电大的缺点；克服了DRAM需要一直进行数据刷新且功耗大的缺点；读写时间短和可读写次数较多，这两个性能比Flash memory的这两个性能优越几个数量级。

MTJ是磁性随机存储器MRAM的核心存储元件，MRAM的读写次数与MTJ器件的寿命直接相关。在研发阶段为了获取MRAM的耐用时间的可靠性分布，确保量产阶段产品的可靠性，需要对大量的MTJ器件进行测试。

目前，我们采用的方法是逐个对MTJ器件进行测试，对于大量器件的测试，需要耗费很长的时间。

在背景技术部分中公开的以上信息只是用来加强对本文所描述技术的背景技术的理解，因此，背景技术中可能包含某些信息，这些信息对于本领域技术人员来说并未形成在本国已知的现有技术。

发明内容

本申请的主要目的在于提供一种测试结构和测试方法，以解决现有技术中对需要对MTJ等阻变器件逐个进行测试导致的测试效率较低的问题。

为了实现上述目的，根据本申请的一个方面，提供了一种测试结构，其中，测试结构包括：至少一个待测试器件组，待测试器件组包括多个串联待测试的阻变器件；多个第一开关，第一开关一一对应地与阻变器件并联；至少两个测试电极，待测试器件组的两端分别电连接一个测试电极。

进一步的，测试结构还包括：多个第一控制电极，第一控制电极与一个第一开关电连接或者分别与多个第一开关电连接，第一控制电极用于控制第一开关的开关状态，在第一控制电极与多个第一开关电连接的情况下，与一个第一控制电极电连接的任意两个第一开关与不同的待测试器件组中的阻变器件电连接。

进一步的，待测试器件组有一个，测试电极有两个，第一控制电极与第一开关一一对应电连接。

进一步的，待测试器件组有多个，测试电极有两个，第一控制电极分别与多个第一开关电连接。

进一步的，测试结构还包括：多个第二开关，一个第二开关电连接在一个测试电极与一个待测试器件组之间，第二开关与待测试器件组一一对应电连接；至少一个第二控制电极，第二控制电极与第二开关电连接以控制第二开关的开关状态。

进一步的，第二控制电极有一个，且第二控制电极控制各第二开关的开关状态。

进一步的，第一开关和第二开关独立地选自NMOS管、PMOS管、传输门或三极管。

进一步的，测试电极为信号地结构。

进一步的，阻变器件为MTJ。