[发明专利]测试结构和测试方法

权利要求书

1.一种测试结构，其特征在于，包括：

至少一个待测试器件组(10)，所述待测试器件组(10)包括多个串联待测试的阻变器件(11)；

多个第一开关(20)，所述第一开关(20)一一对应地与所述阻变器件(11)并联；

至少两个测试电极(30)，所述待测试器件组(10)的两端分别电连接一个所述测试电极(30)。

2.根据权利要求1所述的测试结构，其特征在于，所述测试结构还包括：

多个第一控制电极(40)，所述第一控制电极(40)与一个所述第一开关(20)电连接或者分别与多个所述第一开关(20)电连接，所述第一控制电极(40)用于控制所述第一开关(20)的开关状态，在所述第一控制电极(40)与多个所述第一开关(20)电连接的情况下，与一个所述第一控制电极(40)电连接的任意两个所述第一开关(20)与不同的所述待测试器件组(10)中的所述阻变器件(11)电连接。

3.根据权利要求2所述的测试结构，其特征在于，所述待测试器件组(10)有一个，所述测试电极(30)有两个，所述第一控制电极(40)与所述第一开关(20)一一对应电连接。

4.根据权利要求2所述的测试结构，其特征在于，所述待测试器件组(10)有多个，所述测试电极(30)有两个，所述第一控制电极(40)分别与多个所述第一开关(20)电连接。

5.根据权利要求4所述的测试结构，其特征在于，所述测试结构还包括：

多个第二开关(50)，一个所述第二开关(50)电连接在一个所述测试电极(30)与一个所述待测试器件组(10)之间，所述第二开关(50)与所述待测试器件组(10)一一对应电连接；

至少一个第二控制电极(60)，所述第二控制电极(60)与所述第二开关(50)电连接以控制所述第二开关(50)的开关状态。

6.根据权利要求5所述的测试结构，其特征在于，所述第二控制电极(60)有一个，且所述第二控制电极(60)控制各所述第二开关(50)的开关状态。

7.根据权利要求5所述的测试结构，其特征在于，所述第一开关(20)和所述第二开关(50)独立地选自NMOS管、PMOS管、传输门或三极管。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的测试结构，其特征在于，所述测试电极(30)为信号地结构。

9.根据权利要求1至7中任一项所述的测试结构，其特征在于，所述阻变器件(11)为MTJ。

10.一种采用权利要求1至9中任一项所述测试结构的测试方法，其特征在于，包括：

步骤S1，控制各第一开关为关断状态，向一个待测试器件组两端的两个测试电极施加脉冲信号，检测所述待测试器件组的电阻；

步骤S2，依次重复执行所述步骤S1，直到检测到的所述待测试器件组的电阻与前一次检测到的电阻的差值大于第一预定阈值的情况下，停止施加所述脉冲信号；

步骤S3，依次控制所述待测试器件组的各阻变器件电连接的所述第一开关处于关断状态，其他的所述阻变器件电连接的所述第一开关处于闭合状态，检测各所述阻变器件的电阻，在所述阻变器件的电阻小于第二预定阈值的情况下，确定所述阻变器件已经损坏；

步骤S4，根据所述步骤S2和所述步骤S3的检测结果，确定所述待测试器件组中的一个或多个所述阻变器件的耐用次数；

步骤S5，重复执行所述步骤S1至所述步骤S4，直到所述待测试器件组中所有的所述阻变器件均损坏，或者直到所述脉冲信号的施加次数等于预定次数。