[发明专利]一种抗辐照高压驱动电路

权利要求书

1.一种抗辐照高压驱动电路，其特征在于，包括电平转换单元和驱动单元；

所述的电平转换单元包括电阻R1、电阻R2、N沟道VDMOS T1和双极NPN晶体管Q1；

所述的驱动单元包括二极管D1、电容C1、稳压管D2、电阻R3和驱动芯片；

输入信号V_IN经电阻R1分别与N沟道VDMOS T1的栅极和双极NPN晶体管Q1的集电极相连；N沟道VDMOS T1的源极和双极NPN晶体管Q1的基极与电阻R2的一端相连，电阻R2另一端和双极NPN晶体管Q1的发射极连接地；N沟道VDMOS T1的漏极连接驱动芯片的输入端；

电源电压V_DD连接二极管D1的阳极，二极管D1的阴极连接电容C1的一端、电阻R3的一端及驱动芯片的V_DD端；电容C1的另一端连接稳压管D2的阳极且与驱动芯片的V_SS连接至输出V_S，电阻R3的另一端连接稳压管D2的阴极且连接驱动芯片的输入端；驱动芯片的输出为高压驱动电路的输出H_O。

2.根据权利要求1所述的一种抗辐照高压驱动电路，其特征在于，所述的驱动芯片为抗辐照MOSFET驱动芯片。

3.根据权利要求1所述的一种抗辐照高压驱动电路，其特征在于，所述N沟道VDMOS T1采用抗辐照器件。

4.根据权利要求1所述的一种抗辐照高压驱动电路，其特征在于，采用双极NPN晶体管代替N沟道VDMOS T1。

5.根据权利要求1所述的一种抗辐照高压驱动电路，其特征在于，所述电容C1的容值为1μF～47μF。

6.根据权利要求1所述的一种抗辐照高压驱动电路，其特征在于，所述电阻R2的值通过式R₂＝V_BE/I₁确定，其中V_BE为NPN双极晶体管Q1的基极-发射极结压降，I₁为漏电流值设计值。