[发明专利]一种新型TFT器件结构及其制作方法

说明书

本发明涉及微电子技术领域，特别涉及一种新型TFT器件结构及其制作方法，通过设置平坦层，平坦层的竖直截面呈阶梯状，能够减少聚酰亚胺涂布过程中TFT器件产生的凹洞对转印(APR)版的“吸著效应”，使转印(APR)版能够带墨均匀和聚酰亚胺(PI)配向膜厚均匀；且能够使液晶旋转方向稳定一致，有益于增加开口率和减少漏光概率，进而提高画面亮度。同时，竖直截面呈阶梯状的平坦层能够降低面板显示异常现象的产生，进而提高制程良率，有利于提升产能。

技术领域

本发明涉及微电子技术领域，特别涉及一种新型TFT器件结构及其制作方法。

背景技术

成盒(CELL)制程中，聚酰亚胺(Polyimide，简称为PI)的配向，因其对液晶的旋转给予一个预倾角使得液晶的旋转方向趋于稳定，因此，聚酰亚胺配向膜的涂布过程好坏是决定聚酰亚胺的配向能力的重要环节，从而影响到制程良率。现有薄膜晶体管(Thin FilmTransistor，简称为TFT)器件结构在聚酰亚胺涂布过程中容易使TFT器件发生凹洞和转印(APR)版产生“吸著效应”，影响制程的良率。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是：提供一种新型TFT器件结构及其制作方法。

为了解决上述技术问题，本发明采用的第一种方案为：

一种新型TFT器件结构，包括基板，在基板表面上依次层叠设有半导体层、第一绝缘层、平坦层、第二绝缘层、第三绝缘层和透明导电层，所述平坦层的竖直截面呈阶梯状，所述第一绝缘层上开设有过孔，所述过孔对应所述半导体层设置，所述过孔填充有所述第三绝缘层和透明导电层，所述第三绝缘层分别与所述半导体层、第一绝缘层和平坦层接触，所述透明导电层与所述半导体层接触。

本发明采用的第二种方案为：

一种新型TFT器件结构的制作方法，包括以下步骤：

S1、提供一基板，且在所述基板上覆盖半导体层；

S2、形成一第一绝缘层，且覆盖于所述半导体层表面；

S3、于所述第一绝缘层中形成过孔；

S4、形成平坦层，且覆盖于所述第一绝缘层表面；

S5、形成第二绝缘层，且覆盖于所述平坦层表面；

S6、形成第三绝缘层，覆盖于所述第二绝缘层表面且分别与所述平坦层、第一绝缘层和半导体层接触；

S7、形成透明导电层，覆盖于所述第三绝缘层表面且与所述半导体层接触。

本发明的有益效果在于：

通过设置平坦层，平坦层的竖直截面呈阶梯状，能够减少聚酰亚胺涂布过程中TFT器件产生的凹洞对转印(APR)版的“吸著效应”，使转印(APR)版能够带墨均匀和聚酰亚胺(PI)配向膜厚均匀；且能够使液晶旋转方向稳定一致，有益于增加开口率和减少漏光概率，进而提高画面亮度。同时，竖直截面呈阶梯状的平坦层能够降低面板显示异常现象的产生，进而提高制程良率，有利于提升产能。

附图说明

图1为根据本发明的一种新型TFT器件结构的结构示意图；

图2为根据本发明的一种新型TFT器件结构的结构的制作方法的步骤流程图；

标号说明：

1、基板；2、半导体层；3、第一绝缘层；4、平坦层；5、第二绝缘层；6、第三绝缘层；7、透明导电层；8、金属层。

具体实施方式

为详细说明本发明的技术内容、所实现目的及效果，以下结合实施方式并配合附图予以说明。