[发明专利]一种新型TFT器件结构及其制作方法

权利要求书

1.一种新型TFT器件结构，包括基板，在基板表面上依次层叠设有半导体层、第一绝缘层、平坦层、第二绝缘层、第三绝缘层和透明导电层，其特征在于，所述平坦层的竖直截面呈阶梯状，所述第一绝缘层上开设有过孔，所述过孔对应所述半导体层设置，所述过孔填充有所述第三绝缘层和透明导电层，所述第三绝缘层分别与所述半导体层、第一绝缘层和平坦层接触，所述透明导电层与所述半导体层接触。

2.根据权利要求1所述的新型TFT器件结构，其特征在于，所述第三绝缘层的形状与所述平坦层的形状相适配，所述透明导电层的形状与所述第三绝缘层的形状相适配。

3.根据权利要求1所述的新型TFT器件结构，其特征在于，所述第二绝缘层与所述第三绝缘层之间设有金属层，所述金属层分别与第二绝缘层和第三绝缘层接触。

4.根据权利要求1所述的新型TFT器件结构，其特征在于，所述平坦层的阶数为2-5层。

5.一种权利要求1-4任意一项所述的新型TFT器件结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1、提供一基板，且在所述基板上覆盖半导体层；

S2、形成一第一绝缘层，且覆盖于所述半导体层表面；

S3、于所述第一绝缘层中形成过孔；

S4、形成平坦层，且覆盖于所述第一绝缘层表面；

S5、形成第二绝缘层，且覆盖于所述平坦层表面；

S6、形成第三绝缘层，覆盖于所述第二绝缘层表面且分别与所述平坦层、第一绝缘层和半导体层接触；

S7、形成透明导电层，覆盖于所述第三绝缘层表面且与所述半导体层接触。

6.根据权利要求5所述的新型TFT器件结构的制作方法，其特征在于，步骤S4具体为：

将光罩置于所述第一绝缘层上方，通过紫外光照射在所述光罩上表面，形成阶梯状的平坦层，所述平坦层覆盖于所述第一绝缘层表面。

7.根据权利要求6所述的新型TFT器件结构的制作方法，其特征在于，所述光罩为半色调掩膜光罩。

8.根据权利要求5所述的新型TFT器件结构的制作方法，其特征在于，所述第三绝缘层的形状与所述平坦层的形状相适配，所述透明导电层的形状与所述第三绝缘层的形状相适配。

9.根据权利要求6所述的新型TFT器件结构的制作方法，其特征在于，所述平坦层的阶数为2-5层。