[发明专利]用于处理物体的设备、减少物体上的污染物的方法及系统有效
申请号: | 201910572520.2 | 申请日: | 2019-06-28 |
公开(公告)号: | CN110660705B | 公开(公告)日: | 2022-03-22 |
发明(设计)人: | 林重佑;郭仕奇;莫竣傑 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/02 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国 |
地址: | 中国台湾新竹市*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 处理 物体 设备 减少 污染物 方法 系统 | ||
一种用于处理物体的设备、减少物体上的污染物的方法及系统。本揭示案描述用于处理一或多个物体的设备。设备包括:载体,配置以保持一或多个物体;水槽,装满处理剂且配置以接收载体;及自旋部分,配置以接触一或多个物体且自旋一或多个物体以扰动处理剂的流场。
技术领域
本揭示案是有关一种用于处理物体的设备、一种减少物体上的污染物的方法及一种减少物体上的污染物的系统。
背景技术
湿式清洗台广泛使用在用于材料的化学处理及蚀刻的半导体制造中。湿式清洗台可具有水槽(例如,湿式清洗台水槽),水槽含有用于各种目的的处理剂(例如,流体)。例如,湿式清洗台可包含用于蚀刻材料的酸、用于将光阻剂从表面剥离的光阻剂剥离剂、及/或用于清洗晶圆/元件的清洗溶液。晶圆可置于湿式清洗台中且浸没在处理剂中。晶圆载体(例如,载运晶圆的结构)可为水槽的部分或可置于水槽中以将一批待处理(例如,清洗或蚀刻)的晶圆浸没于处理剂中。处理剂在水槽中循环且可用于处理多批晶圆。
发明内容
本揭示案提供一种用于处理一或多个物体的设备,包括载体、水槽与自旋部分。载体配置以保持物体。水槽包括处理剂且配置以接收载体。自旋部分配置以接触物体及自旋物体以扰动该处理剂的流场。
本揭示案提供一种减少一或多个物体上的污染物的方法,包括在载体中固定物体;将载体浸没于处理剂中;自旋载体中的物体以形成不同于处理剂的流场路径的流动路径;及冲洗物体。
本揭示案提供一种减少一或多个物体上的污染物的系统,包括制程工具、控制装置与通信装置。制程工具包括载体、水槽与自旋部分。载体配置以保持物体。水槽包括处理剂且配置以接收载体。自旋装置配置以基于控制信号自旋物体。控制装置配置以决定自旋装置的控制信号,其中控制信号包括自旋装置的自旋速度。通信装置配置以将控制信号从控制装置传输至自旋装置。
附图说明
当结合附图阅读时,根据以下详细描述可最佳地理解本揭示案的态样。应注意,根据工业常规实践,各种特征未按比例绘制。事实上,为图解及论述的清楚,各特征的尺寸可任意地增加或缩小。
图1A根据本揭示案的一些实施例绘示湿式清洗台水槽的剖视图;
图1B绘示图1A的湿式清洗台水槽的侧视图;
图2A至图2E绘示根据本揭示案的一些实施例的湿式清洗台结构的剖视图;
图3A及图3B各自绘示根据本揭示案的一些实施例的另一湿式清洗台结构的侧视图;
图4绘示根据本揭示案的一些实施例的使用湿式清洗台结构清洗晶圆的处理流程;
图5绘示根据本揭示案的一些实施例的控制系统;
图6绘示根据一些实施例的用于实施本揭示案的各种实施例的计算机系统。
【符号说明】
100 清洗台水槽(或水槽)沿x-z平面的剖视图
101 基座
102 晶圆
103 载体
104 把手
104-1 提升装置
104-2 提升装置
104-3 提升装置
105-1 入口
105-2 入口
106 水槽
107 处理剂
108 流场路径
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造