[发明专利]用于制造半导体器件的方法

权利要求书

1.一种用于半导体器件的图案形成方法，该方法包括：

在设置在衬底上方的底层中形成第一开口；

通过水平各向异性的定向蚀刻来在第一轴上扩展所述第一开口，以在所述底层中形成第一凹槽，所述第一轴是水平的并且与所述衬底的表面平行；

在所述底层上方形成抗蚀剂图案，该抗蚀剂图案包括与所述第一凹槽仅部分重叠的第二开口；以及

通过将所述抗蚀剂图案用作蚀刻掩模来图案化所述底层，以形成第二凹槽，

其中，在所述定向蚀刻中，沿所述第一轴对所述底层的蚀刻率大于沿垂直于所述第一轴的第二轴对所述底层的蚀刻率，所述第二轴是水平的并且与所述衬底的表面平行。

2.根据权利要求1所述的图案形成方法，其中，在扩展所述第一开口时，沿所述第一轴的一个方向上的扩展量等于沿所述第一轴的与所述一个方向相反的另一方向上的扩展量。

3.根据权利要求1所述的图案形成方法，其中沿所述第一轴对所述底层的蚀刻率是沿垂直于所述第一轴的所述第二轴对所述底层的蚀刻率的十倍或更多。

4.根据权利要求1所述的图案形成方法，其中，沿所述第一轴对所述底层的蚀刻率是沿垂直于所述第一轴的所述第二轴对所述底层的蚀刻率的两倍或更多。

5.根据权利要求1所述的图案形成方法，其中：

所述底层包括第一层和形成在所述第一层上方的第二层，

所述第一开口被形成在所述第一层和所述第二层中，并且

在图案化所述底层时，所述第二层被图案化以在所述第二层中形成所述第二凹槽。

6.根据权利要求5所述的图案形成方法，其中，所述第一层和所述第二层由彼此不同的电介质材料制成。

7.根据权利要求5所述的图案形成方法，其中，所述抗蚀剂图案填充形成在所述第一层中的所述第一开口，使得所述第二开口不与形成在所述第一层中的所述第一开口重叠。

8.根据权利要求1所述的图案形成方法，其中，所述第一开口在俯视图中具有圆形形状。

9.一种制造半导体器件的方法，该方法包括：

在衬底上方形成第一底层并在所述第一底层上方形成第二底层；

在所述第一底层和所述第二底层中形成第一开口和第二开口；

通过水平各向异性的定向蚀刻来在第一轴上扩展所述第一开口和所述第二开口，以在所述第二底层中形成第一凹槽和第二凹槽，所述第一轴是水平的并且与所述衬底的表面平行；

形成抗蚀剂图案，该抗蚀剂图案包括与所述第一凹槽仅部分重叠的第三开口和与所述第二凹槽仅部分重叠的第四开口；

通过将所述抗蚀剂图案用作蚀刻掩模来图案化所述第二底层，以在所述第二底层中形成第一沟槽和第二沟槽；以及

用导电材料填充形成在所述第一底层中的所述第一开口和所述第二开口以及形成在所述第二底层中的所述第一沟槽和所述第二沟槽，

在所述定向蚀刻中，沿所述第一轴对所述第二底层的蚀刻率大于沿垂直于所述第一轴的第二轴对所述第二底层的蚀刻率，所述第二轴是水平的并且与所述衬底的表面平行。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，在所述定向蚀刻中，沿所述第一轴对所述第二底层的蚀刻率是沿垂直于所述第一轴的所述第二轴对所述第二底层的蚀刻率的十倍或更多。

11.根据权利要求9所述的方法，其中，沿所述第一轴对所述第二底层的蚀刻率是沿所述第二轴对所述第二底层的蚀刻率的五到二十倍。

12.根据权利要求9所述的方法，其中，所述第一开口和所述第二开口彼此间隔开量S1，并且所述第一凹槽和所述第二凹槽彼此间隔开量S2，其中S1S2。

13.根据权利要求12所述的方法，其中，所述第三开口和所述第四开口彼此间隔开量S3，其中S3S2。