[发明专利]一种提高低线宽栅极器件生产效率的方法及器件

权利要求书

1.一种提高低线宽栅极器件生产效率的方法，其特征在于，包括如下步骤：

在外延片上沉积源极金属和漏极金属，在外延片上沉积氮化物层；

在外延片上涂布E-Beam光阻；

使用E-Beam电子束在栅极底部进行E-Beam光阻显影，在显影后的E-Beam光阻对氮化物层进行非等向性蚀刻；

蚀刻去除E-Beam光阻；

在外延片上涂布I-Line光阻，I-Line光阻涂布在氮化物层表面；

使用I-Line机台在栅极顶部进行I-Line光阻曝光显影；

沉积栅极金属。

2.根据权利要求1所述的一种提高低线宽栅极器件生产效率的方法，其特征在于，还包括步骤：

蚀刻去除I-Line光阻。

3.根据权利要求1所述的一种提高低线宽栅极器件生产效率的方法，其特征在于，还包括步骤：

蚀刻去除氮化物层。

4.一种半导体器件，其特征在于，所述器件由所述权利要求1到3任意一项的方法制得。

5.一种提高低线宽栅极器件生产效率的方法，应用于自动化生产线的机台控制器上，其特征在于，包括如下步骤：

控制机械手臂抓取沉积有源极金属和漏极金属的外延片，控制机械手臂将外延片传送到氮化物沉积设备进行氮化物沉积；

接收氮化物沉积设备的氮化物沉积完毕信号；

控制机械手臂将外延片传送到E-Beam光阻涂布设备；

发送光阻涂布命令到E-Beam光阻涂布设备进行光阻涂布；

接收到E-Beam光阻涂布完毕信号；

控制机械手臂取出外延片并传送到E-Beam曝光设备；

发送曝光指令到E-Beam曝光设备进行E-Beam光阻显影；

接收到E-Beam曝光设备曝光完毕信号；控制机械手臂将外延片传送到氮化物蚀刻设备进行氮化物非等向性蚀刻；

接收氮化物蚀刻设备的蚀刻完毕信号；

控制机械手臂将外延片传送到光阻蚀刻设备进行E-Beam光阻蚀刻；

接收光阻蚀刻设备的蚀刻完毕信号；

控制机械手臂将外延片传送到I-Line光阻涂布设备；

发送光阻涂布命令到I-Line光阻涂布设备进行光阻涂布，I-Line光阻涂布在氮化物层表面；

接收到I-Line光阻涂布完毕信号；

控制机械手臂取出外延片并传送到I-Line曝光设备；

发送曝光指令到I-Line曝光设备进行I-Line光阻显影；

接收到I-Line曝光设备曝光完毕信号；

控制机械手臂取出外延片并传送金属蒸镀设备进行栅极金属沉积。

6.根据权利要求5所述的一种提高低线宽栅极器件生产效率的方法，其特征在于，还包括步骤：

接收到金属蒸镀设备的金属沉积完毕信号；

控制机械手臂取出外延片并传送光阻蚀刻设备进行I-Line光阻去除。

7.根据权利要求5所述的一种提高低线宽栅极器件生产效率的方法，其特征在于，还包括步骤：

接收到金属蒸镀设备的金属沉积完毕信号；

控制机械手臂取出外延片并且氮化物去除设备除去氮化物。