[发明专利]一种铟锡氧化物薄膜的制作方法、显示面板和显示装置

说明书

本申请公开了一种铟锡氧化物薄膜的制作方法、显示面板和显示装置。所述铟锡氧化物薄膜的制作方法，制作方法包括：形成氧化铟薄膜的步骤；形成氧化锡薄膜的步骤；以及交替形成氧化铟薄膜的步骤和氧化锡薄膜的步骤，判断是否重复了第三预设次数，是则制程完成；否则，重新执行形成氧化铟薄膜和氧化锡薄膜的步骤。本申请使用原子层沉积技术，交替形成氧化铟薄膜和氧化锡薄膜，并最终得到铟锡氧化物薄膜，大幅提高沉积薄膜的致密度，表面平整度和均匀度，实现生成稳定的铟锡氧化物薄膜。

技术领域

本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种铟锡氧化物薄膜的制作方法、显示面板和显示装置。

背景技术

显示面板近年来得到了飞速地发展和广泛地应用。就主流市场上的TFT-LCD(ThinFilm Transistor-LCD，薄膜晶体管液晶显示屏)而言，包括阵列基板和彩膜基板，在阵列基板上形成薄膜晶体管，薄膜晶体管控制像素电极的开关，薄膜晶体管打开时，像素电极产生电压，使得液晶分子发生偏转，显示画面。

显示面板的制作中，在绝缘保护层上刻蚀形成过孔以便透明导电层与漏极连接时，由于绝缘保护层可能存在钻蚀现象(PV Under-cut,Passivation Undercut)，随后通过PVD(Physical Vapor De-position,物理气相沉积方法)沉积ITO(Indium Tin Oxides,铟锡氧化物薄膜)时，则由于钻蚀现象，铟锡氧化物薄膜容易出现断线的情况，严重时可能直接导致液晶面板显示异常。

发明内容

本申请的目的是提供一种铟锡氧化物薄膜的制作方法、显示面板和显示装置，以提高铟锡氧化物薄膜的稳定性。

本申请公开了一种铟锡氧化物薄膜的制作方法，其特征在于，包括：

形成氧化铟薄膜的步骤；

形成氧化锡薄膜的步骤；以及

交替形成氧化铟薄膜的步骤和氧化锡薄膜的步骤，判断是否重复了第三预设次数，是则制程完成；否则，重新执行形成氧化铟薄膜和氧化锡薄膜的步骤；

其中，形成氧化铟薄膜的步骤为重复第一预设次数形成氧化铟层的过程以得到氧化铟薄膜；形成氧化锡薄膜的步骤为重复第二预设次数形成氧化锡层的过程以得到氧化锡薄膜；

其中，形成氧化铟层的过程包括：在原子层沉积装置中持续通入预设时间的铟前驱体，完成通入后停留预设时间，通入惰性气体吹扫，持续通入预设时间的氧前驱体，完成通入后停留预设时间，通入惰性气体吹扫；

形成氧化锡层的过程包括：在原子层沉积装置中持续通入预设时间的锡前驱体，完成通入后停留预设的时间，通入惰性气体吹扫，持续通入预设时间的氧前驱体，完成通入后停留预设的时间，通入惰性气体吹扫。

可选的，所述铟前驱体包括三甲基铟、环戊二烯铟和氯化铟的至少一种；所述锡前驱体包括四(二甲胺基)锡和四氯化锡的至少一种；所述氧前驱体包括水、臭氧和氧气中的至少一种；所述惰性气体包括氩气和氦气的至少一种。

可选的，所述铟前驱体、锡前驱体以及氧前驱体的持续通入预设时间均在0.01s至0.02s之间；所述所述铟前驱体、锡前驱体以及氧前驱体通入的速率在5ml/min至30ml/min之间。

可选的，所述铟前驱体、锡前驱体以及氧前驱体的停留预设时间在2s至10s之间。

可选的，所述铟前驱体为三甲基铟，所述锡前驱体为四(二甲胺基)锡，所述氧前驱体为氧气；所述三甲基铟的持续通入预设时间设置为0.02s；所述四(二甲胺基)锡的持续通入预设时间设置为0.01s；所述氧气的持续通入预设时间设置为0.02s。