[发明专利]一种铟锡氧化物薄膜的制作方法、显示面板和显示装置

权利要求书

1.一种铟锡氧化物薄膜的制作方法，其特征在于，包括：

形成氧化铟薄膜的步骤；

形成氧化锡薄膜的步骤；以及

交替形成氧化铟薄膜的步骤和氧化锡薄膜的步骤，判断是否重复了第三预设次数，是则制程完成；否则，重新执行形成氧化铟薄膜和氧化锡薄膜的步骤；

其中，形成氧化铟薄膜的步骤为重复第一预设次数形成氧化铟层的过程以得到氧化铟薄膜；形成氧化锡薄膜的步骤为重复第二预设次数形成氧化锡层的过程以得到氧化锡薄膜；

其中，形成氧化铟层的过程包括：在原子层沉积装置中持续通入预设时间的铟前驱体，完成通入后停留预设时间，通入惰性气体吹扫，持续通入预设时间的氧前驱体，完成通入后停留预设时间，通入惰性气体吹扫；

形成氧化锡层的过程包括：在原子层沉积装置中持续通入预设时间的锡前驱体，完成通入后停留预设的时间，通入惰性气体吹扫，持续通入预设时间的氧前驱体，完成通入后停留预设的时间，通入惰性气体吹扫；

其中，在形成氧化铟薄膜的过程中包括：先在钝化层上形成第一预设次数的氧化铟层得到氧化铟薄膜，然后，在形成氧化锡薄膜的过程中包括：在氧化铟薄膜上重复第二预设次数形成氧化锡层得到氧化锡薄膜，形成氧化铟薄膜的步骤中包括判断是否重复第一预设次数，形成氧化锡薄膜的步骤中是否重复第二预设次数；

其中，第一预设次数为180次，第二预设次数为5次；

所述铟前驱体的持续通入预设时间为0.02s，所述锡前驱体的持续通入预设时间为0.01s；所述铟前驱体和锡前驱体的通入的速率在20ml/min。

2.如权利要求1所述的一种铟锡氧化物薄膜的制作方法，其特征在于，所述铟前驱体包括三甲基铟、环戊二烯铟和氯化铟的至少一种；所述锡前驱体包括四(二甲胺基)锡和四氯化锡的至少一种；所述氧前驱体包括水、臭氧和氧气中的至少一种；所述惰性气体包括氩气和氦气的至少一种。

3.如权利要求2所述的一种铟锡氧化物薄膜的制作方法，其特征在于，所述氧前驱体的持续通入预设时间均在0.01s至0.02s之间；所述氧前驱体通入的速率在5ml/min至30ml/min之间。

4.如权利要求2所述的一种铟锡氧化物薄膜的制作方法，其特征在于，所述铟前驱体、锡前驱体以及氧前驱体的停留预设时间在2s至10s之间。

5.如权利要求3所述的一种铟锡氧化物薄膜的制作方法，其特征在于，所述铟前驱体为三甲基铟，所述锡前驱体为四(二甲胺基)锡，所述氧前驱体为氧气；

所述三甲基铟的持续通入预设时间设置为0.02s；所述四(二甲胺基)锡的持续通入预设时间设置为0.01s；所述氧气的持续通入预设时间设置为0.02s。

6.如权利要求4所述的一种铟锡氧化物薄膜的制作方法，其特征在于，所述铟前驱体为三甲基铟，所述锡前驱体为四(二甲胺基)锡，所述氧前驱体为氧气；

在所述形成氧化铟层的过程中，所述三甲基铟的停留预设时间设置为5s；所述氧前驱体为氧气，所述氧气的停留预设时间为3s；在所述形成氧化锡层的过程中，所述锡前驱体为所述四(二甲胺基)锡，所述四(二甲胺基)锡的停留时间为5s，所述氧前驱体为氧气，所述氧气的停留预设时间为5s。

7.如权利要求2所述的一种铟锡氧化物薄膜的制作方法，其特征在于，所述原子层沉积装置的工作温度在150摄氏度至250摄氏度之间；所述原子层沉积装置的工作压强在0.01托至0.5托之间。