[发明专利]一种半导体设备维护系统及方法在审

专利信息
申请号: 201910557948.X 申请日: 2019-06-26
公开(公告)号: CN112226733A 公开(公告)日: 2021-01-15
发明(设计)人: 程长青;蔡俊郎 申请(专利权)人: 合肥晶合集成电路股份有限公司
主分类号: C23C14/30 分类号: C23C14/30;C23C14/54
代理公司: 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 代理人: 王华英
地址: 230012 安徽省合肥*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 一种 半导体设备 维护 系统 方法
【权利要求书】:

1.一种半导体设备的维护系统,其特征在于,维护系统包括:

加热模块,设置于所述半导体设备的加工腔室内;

温度传感器,设置于所述半导体设备的加工腔室内;

控制中心,连接于所述温度传感器及加热模块,其中所述温度传感器用于为所述控制中心提供温度采样信号,所述控制中心控制所述加热模块加热,当加热累计时间到达设定的第一时间时,所述控制中心控制所述加热模块停止加热。

2.如权利要求1所述一种半导体设备的维护系统,其特征在于,所述控制中心包括:

温度控制模块,用于接收所述温度采样信号,并比较所述温度采样信号和温度设定值,当所述温度采样信号超过所述温度设定值时,所述温度控制模块发出第一控制信号,所述第一控制信号控制所述加热模块停止加热;

时间控制模块,用于在所述加热模块的加热累计时间到达设定的第一时间时,所述时间控制模块发出第二控制信号至温度控制模块,所述温度控制模块发出第一控制信号控制所述加热模块停止加热,且当所述时间控制模块在冷却累计时间达到设定的第二时间时,使所述时间控制模块发出第三控制信号,所述第三控制信号控制电控装置电源开关开通。

3.如权利要求2所述一种半导体设备的维护系统,其特征在于,所述温度控制模块包括比较器,所述比较器的一端接收所述温度采样信号,所述比较器的另一端接收所述温度设定值,所述比较器的输出端用于输出所述温度采样信号和所述温度设定值的温度比较结果;

所述时间控制模块为计时器。

4.如权利要求3所述一种半导体设备的维护系统,其特征在于,所述半导体设备包括:

真空系统,包括加工腔室和电控装置,所述电控装置对所述加工腔室进行抽真空;以及

辅助系统,用以为所述真空系统提供功率电源、辅助电源和控制信号,所述功率电源经过加热电源开关与所述加热模块连接,所述温度控制模块的输出端与所述加热电源开关连接;所述功率电源经过电控装置电源开关与所述电控装置连接,所述计时器的第三控制信号的输出端与所述电控装置电源开关的控制端连接。

5.如权利要求4所述一种半导体设备的维护系统,其特征在于,所述计时器的第二控制信号的输出端以及所述比较器的输出端分别连接与逻辑运算电路的输入端,所述与逻辑运算电路的输出端用于输出第一控制信号至加热电源开关的输入端。

6.如权利要求3所述一种半导体设备的维护系统,其特征在于,所述控制中心为数字控制电路,所述数字控制电路为所述加热电源开关和所述电控装置电源开关提供驱动信号。

7.如权利要求1所述一种半导体设备的维护系统,其特征在于,所述加热模块和温度传感器集成在一起,所述加热模块根据温度传感器采样到的加工腔室内的温度控制输出的加热功率。

8.如权利要求7所述一种半导体设备的维护系统,其特征在于,温度传感器可拆卸的安装在所述加工腔室内。

9.一种半导体设备维护方法,其特征在于,包括:

通过加热模块对所述半导体设备的加工腔室内进行加热;

通过温度传感器来感测所述半导体设备的加工腔室内的温度;以及

通过控制中心来控制所述加热模块,其中所述控制中心是连接于所述温度传感器及加热模块,所述温度传感器用于为所述控制中心提供温度采样信号,所述控制中心控制所述加热模块加热,当加热累计时间到达设定的第一时间时,所述控制中心控制所述加热模块停止加热。

10.如权利要求9所述一种半导体设备维护方法,其特征在于,还包括:

接收所述温度采样信号,并比较所述温度采样信号和温度设定值,当所述温度采样信号超过所述温度设定值时,所述控制中心发出第一控制信号,所述第一控制信号控制所述加热模块停止加热;以及

在所述加热模块的加热累计时间到达设定的第一时间时,所述时间控制模块发出第二控制信号至温度控制模块,所述温度控制模块发出第一控制信号控制所述加热模块停止加热,且当所述时间控制模块在冷却累计时间达到设定的第二时间时,所述时间控制模块发出第三控制信号,所述第三控制信号控制所述电控装置电源开关开通。

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