[发明专利]用于存储数据以增强数据损坏错误的修复和检测的技术在审
申请号: | 201910556572.0 | 申请日: | 2019-06-25 |
公开(公告)号: | CN111694689A | 公开(公告)日: | 2020-09-22 |
发明(设计)人: | P·米尔斯;M·沙利文;N·萨克塞纳;J·布鲁克斯 | 申请(专利权)人: | 辉达公司 |
主分类号: | G06F11/10 | 分类号: | G06F11/10 |
代理公司: | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人: | 赵楠 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 存储 据以 增强 数据 损坏 错误 修复 检测 技术 | ||
1.一种纠错码(ECC)装置,包括:
第一数据拌和器,被配置为拌和多个数据单元以形成多个经拌和的数据单元;
ECC发生器,被配置为生成多个纠错位,所述多个纠错位中的至少一个纠错位由从所述第一数据拌和器接收的多个经拌和的数据单元中的每一个产生;以及
ECC拌和器,被配置拌和所述多个纠错位,以形成多个经拌和的纠错位,并且由此形成多个经拌和的码字,其中每个经拌和的码字包括所述多个数据单元中的一个和所述多个经拌和的纠错位中的至少一个经拌和的纠错位。
2.根据权利要求1所述的ECC装置,其中所述ECC拌和器被配置为拌和所述多个纠错位作为(基底+9)%32模式。
3.根据权利要求1所述的ECC装置,其中所述第一数据拌和器被配置为拌和所述数据单元作为(基底+65)%256模式。
4.根据权利要求1所述的ECC装置,进一步包括。
第一动态随机存取存储器(DRAM)区域,用于存储所述多个经拌和的码字的所述多个数据单元;以及
至少第二DRAM区域,用于存储所述多个经拌和的码字的所述多个经拌和的纠错位。
5.根据权利要求4所述的ECC装置,进一步包括第二数据拌和器,被配置为拌和所述多个经拌和的码字的所述多个数据单元,其中从所述第一DRAM区域中检索所述多个数据单元。
6.根据权利要求5所述的ECC装置,进一步包括ECC去拌和器,其配置为去拌和所述多个经拌和的码字的所述多个经拌和的纠错位,以生成多个经去拌和的纠错位。
7.根据权利要求6所述的ECC装置,进一步包括ECC检测器,被配置为从所述第二数据拌和器的所述多个拌和数据单元和所述ECC去拌和器的所述多个经去拌和的错误纠正位的使用中检查单位错误条件和/或检测单位错误条件或双位错误条件。
8.根据权利要求1所述的ECC装置,其中所述多个经拌和的码字是四个经拌和的码字。
9.根据权利要求1所述的ECC装置,其中所述纠错码是SECDED纠错码。
10.一种采用纠错码(ECC)的存储器控制器,包括:
数据拌和器,被配置为从多个数据单元生成多个经拌和的数据单元;
ECC发生器,被配置为从所述多个数据单元生成多个纠错位;以及
ECC拌和器,被配置为从所述多个纠错位生成多个经拌和的纠错位,从而形成多个经拌和的码字,其中每个经拌和的码字包括多个经拌和的数据单元中的一个和所述多个经拌和的纠错位中的至少一个经拌和的纠错位。
11.根据权利要求10所述的存储器控制器,其中所述ECC拌和器被配置为拌和所述多个纠错位作为(基底+9)%32模式。
12.根据权利要求10所述的存储器控制器,其中所述数据拌和器被配置为拌和所述多个数据单元作为(基底+65)%256模式。
13.根据权利要求10所述的存储器控制器,进一步包括数据去拌和器,被配置为去拌和存储在所述至少第一动态随机存取存储器(DRAM)区域中的所述多个经拌和的数据单元,以生成多个经去拌和的数据单元。
14.根据权利要求13所述的存储器控制器,进一步包括ECC去拌和器,被配置为去拌和存储在所述至少第二DRAM区域中的所述多个经拌和的纠错位,以生成多个经去拌和的纠错位。
15.根据权利要求14所述的存储器控制器,进一步包括ECC检测器,被配置为在单位错误条件和检测双位错误条件中的一个错误条件存在时,使用所述多个经去拌和的数据单元和所述多个经去拌和的纠错位来纠正所述单位错误条件和/或检测所述双位错误条件。
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