[发明专利]一种硒化镉靶材及其制备方法

说明书

本发明涉及光电材料生产技术领域，尤其涉及一种硒化镉靶材及其制备方法。所述制备方法包括：A)将硒粉和镉粉混匀，得到混合粉末；B)将所述混合粉末进行热压烧结，得到硒化镉靶材；所述热压烧结包括：b1)将所述混合粉末加热至240～350℃，保温1～3h；b2)然后保压升温至600～800℃，保温1～3h。本发明将硒粉和镉粉混匀后，直接进行热压烧结即可制得硒化镉靶材。本发明中的热压烧结无需在真空条件下进行，即使在真空条件下进行，也是可以实现本发明的效果。因而，工序简单，周期短，对设备要求较低，成本较低，可规模化生产。制得的硒化镉靶材纯度和密度均较高。

技术领域

本发明涉及光电材料生产技术领域，尤其涉及一种硒化镉靶材及其制备方法。

背景技术

近年来，随着光伏产业的飞速发展，薄膜太阳能电池材料得到迅猛发展。硒化镉是一种能隙值为1.74eV的化合物半导体材料，其理论光电转换效率高。也可用于电子发射器和光谱分析、光导体、半导体、光敏元件等领域。

现有技术中公开的靶材种类众多，但硒化镉靶材的研究还不多。因此，急需推进硒化镉等太阳能靶材材料的开发与制备。

发明内容

有鉴于此，本发明要解决的技术问题在于提供一种硒化镉靶材及其制备方法，本发明提供的制备方法工艺简单，对设备要求较低，成本较低；制得的硒化镉靶材的纯度和密度均较高。

本发明提供了一种硒化镉靶材的制备方法，包括以下步骤：

A)将硒粉和镉粉混匀，得到混合粉末；

B)将所述混合粉末进行热压烧结，得到硒化镉靶材；

所述热压烧结包括：

b1)将所述混合粉末加热至240～350℃，保温1～3h；

b2)然后保压升温至600～800℃，保温1～3h。

优选的，所述硒粉的粒度小于100目，所述镉粉的粒度小于100目。

优选的，所述硒粉的纯度为5N，所述镉粉的纯度为5N。

优选的，步骤b1)中，所述保温具体为：

保温10min后，开始保温加压至20～30MPa，然后保温保压。

优选的，步骤b1)中，将所述混合粉末加热至240～350℃的加热速率为 2～8℃/min。

优选的，步骤b2)中，所述保温具体为：

保温10min后，开始保温加压至40～70MPa，然后保温保压。

优选的，步骤b2)中，保压升温至600～800℃的升温速率为2～8℃/min。

优选的，步骤b2)中，所述保温结束后，还包括：

停止加热，压力降至0MPa后，降温至400～500℃，保温1～3h，冷却至室温。

本发明还提供了一种上文所述的制备方法制备的硒化镉靶材。

本发明提供了一种硒化镉靶材的制备方法，包括以下步骤：A)将硒粉和镉粉混匀，得到混合粉末；B)将所述混合粉末进行热压烧结，得到硒化镉靶材；所述热压烧结包括：b1)将所述混合粉末加热至240～350℃，保温1～3h； b2)然后保压升温至600～800℃，保温1～3h。本发明将硒粉和镉粉混匀后，直接进行热压烧结即可制得硒化镉靶材。本发明中的热压烧结无需在真空条件下进行，即使在真空条件下进行，也是可以实现本发明的效果。因而，工序简单，周期短，对设备要求较低，成本较低，可规模化生产。制得的硒化镉靶材纯度和密度均较高。