[发明专利]一种可提高帧转移CCD响应度像元结构有效
| 申请号： | 201910553563.6 | 申请日： | 2019-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN110335882B | 公开（公告）日： | 2021-05-07 |
| 发明（设计）人： | 李立;熊平;曾武贤;王小东 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十四研究所 |
| 主分类号： | H01L27/148 | 分类号： | H01L27/148;H04N5/372 |
| 代理公司： | 重庆辉腾律师事务所 50215 | 代理人： | 卢胜斌 |
| 地址： | 400060 *** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 提高 转移 ccd 响应 度像元 结构 | ||
1.一种可提高帧转移CCD响应度的像元结构，所述像元结构包括衬底、多个并行的垂直转移电极、CCD埋沟区、保护环以及沟阻；其特征在于，在衬底与CCD埋沟区之间依次设置有p型信号放大区以及n型信号放大区；在CCD埋沟区的上方连接有垂直转移电极，每个垂直转移电极的一侧通过介质层连接有信号放大控制电极；从衬底顶部的左右两侧向上直至CCD埋沟区分别设置保护环和沟阻。
2.根据权利要求1所述的一种可提高帧转移CCD响应度的像元结构，其特征在于，衬底为p型衬底，保护环采用n型掺杂，沟阻采用p型掺杂。
3.根据权利要求1所述的一种可提高帧转移CCD响应度的像元结构，其特征在于，p型信号放大区的注入浓度为0.8×1012/cm2～1.2×1012/cm2；n型放大区的注入浓度为0.8×1015/cm2～1.2×1015/cm2。
4.根据权利要求1所述的一种可提高帧转移CCD响应度的像元结构，其特征在于，p型信号放大区以及n型信号放大区形成有pn结二极管，当在信号放大控制电极上施加一个小于等于阈值电压的正电压，该pn结二极管则处于反偏状态，信号电子将被收集到垂直转移电极下方的CCD埋沟区；当在信号放大控制电极上施加大于阈值电压的正电压，该pn结二极管则被击穿，被收集到垂直转移电极下方CCD埋沟区内的信号电子数量成倍增加；当信号放大控制电极上施加的正电压关闭，通过在垂直转移电极上施加CCD转移时钟脉冲，则将放大后的信号电子依次转移。
5.根据权利要求1所述的一种可提高帧转移CCD响应度的像元结构，其特征在于，垂直转移电极所需的高电压为5V～10V，低电压为-5V～0V。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
