[发明专利]一种显示面板及其制备方法有效
| 申请号: | 201910549265.X | 申请日: | 2019-06-24 |
| 公开(公告)号: | CN110299388B | 公开(公告)日: | 2021-07-06 |
| 发明(设计)人: | 耿敬;侯俊 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
| 地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 显示 面板 及其 制备 方法 | ||
本发明提供一种显示面板及其制备方法,所述基板、像素定义层以及纳米柱状结构;显示面板所述显示面板的制备方法包括基板提供步骤、涂覆步骤、干燥步骤、烘烤步骤、降温步骤、曝光步骤、显影步骤、清洗步骤、高温固化步骤以及干刻蚀步骤;本发明通过采用四氟化碳与氩气的混合气体对所述像素定义层进行干刻蚀处理,在像素定义层的表面形成纳米柱状结构,使得像素定义层表面粗糙度增加,增强了像素定义层表面疏液性;因此,在喷墨打印处理后所形成的膜层具有良好的均匀性以及高度,进而有效地避免“墨缩”现象、节省材料、提高产能,保证了显示器良好的显示效果。
技术领域
本发明涉及显示领域,尤其涉及显示面板及其制备方法。
背景技术
目前,喷墨打印技术已经广泛应用显示器件的制作中,例如OLED器件中有机发光层的制作、量子点彩膜基板中的彩色光阻层的制作等,都是采用喷墨打印的方式形成图案化。
为了使墨水能够打印到指定区域并能够形成子像素的形状,需要在基板上设置像素定义层(Pixel-determained Layer,PDL),所述像素定义层是由多个堤坝等间隔组成的,在两个相邻的所述堤坝之间会与所述基板形成一个凹槽。在对所述像素定义层进行喷墨打印时,墨水首先会被打印在所述凹槽底部,慢慢地将所述凹槽填充,墨水固化后形成一膜层。
如图1所示,在理想的状态下,所述膜层200的高度大于所述像素定义层2的高度。墨水固化后形成的膜层会将所述凹槽填满,所述膜层200表面呈弧形,中部凸起。
如图2所示,在现有技术中,墨滴固化后形成膜层200的高度往往会低于所述像素定义层2的高度,进而导致所述膜层200出现“墨缩”现象。其中,所述膜层200表面呈直线形,中部下凹。其原因在于,所述像素定义层2的表面较光滑,墨水的滚动角度大,进而影响所述像素定义层2表面的疏液性。如果重复对所述凹槽进行喷墨打印处理,会导致所述膜层200分布不均匀,并且浪费材料、影响产能,进而影响显示器的显示质量。
发明内容
本发明的目的在于,提供一种显示面板及其制备方法,以解决现有技术中存在的墨水被打印至所述像素定义层中,固化的墨水后形成的膜层容易出现“墨缩”现象,影响膜层的均匀性、影响显示器的显示质量的技术问题。
为解决上述问题,本发明提供一种显示面板包括基板、像素定义层以及纳米柱状结构,所述像素定义层设于所述基板上表面;所述纳米柱状结构突出于所述像素定义层上表面。
进一步地,所述像素定义层的高度与所述纳米柱状结构林的高度的比值为10~100。
进一步地,所述纳米柱状结构林包括三个以上纳米柱。
进一步地,所述纳米柱的直径为15nm~50nm。
为解决上述问题,本发明还提供一种显示面板的制备方法,包括干刻蚀步骤,采用四氟化碳与氩气的混合气体对像素定义层进行干刻蚀处理,在所述像素定义层表面形成纳米柱状结构。
进一步地,所述干刻蚀步骤具体包括送板步骤,制备有像素定义层的基板送入至一反应器内;充气步骤,向所述反应器输入四氟化碳与氩气的混合气体;反应步骤,对所述像素定义层进行干刻蚀处理,在所述像素定义层表面形成纳米柱状结构;以及取板步骤,从所述反应器内取出所述基板。
进一步地,在所述送板步骤中,所述反应器为电容耦合等离子体反应器;在所述充气步骤中,所述四氟化碳与所述氩气的流量比为2~3,所述反应器内的气压为30mTorr~200mTorr;在所述反应步骤中,干刻蚀处理的时间为60s~120s。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





