[发明专利]一种显示面板及其制备方法有效
| 申请号: | 201910549265.X | 申请日: | 2019-06-24 |
| 公开(公告)号: | CN110299388B | 公开(公告)日: | 2021-07-06 |
| 发明(设计)人: | 耿敬;侯俊 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
| 地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 显示 面板 及其 制备 方法 | ||
1.一种显示面板的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
干刻蚀步骤,采用四氟化碳与氩气的混合气体对像素定义层进行干刻蚀处理,在所述像素定义层表面形成纳米柱状结构;
其中,所述干刻蚀步骤具体包括如下步骤:
送板步骤,制备有像素定义层的基板送入至一反应器内,其中所述反应器为电容耦合等离子体反应器;
充气步骤,向所述反应器输入四氟化碳与氩气的混合气体,其中所述四氟化碳与所述氩气的流量比为2~3,所述反应器内的气压为30mTorr~200mTorr;
反应步骤,对所述像素定义层进行干刻蚀处理,在所述像素定义层表面形成纳米柱状结构;以及
取板步骤,从所述反应器内取出所述基板。
2.如权利要求1所述的显示面板制备方法,其特征在于,
在所述反应步骤中,干刻蚀处理的时间为60s~120s。
3.如权利要求1所述的显示面板制备方法,其特征在于,
在所述干刻蚀步骤之前,还包括如下步骤:
基板提供步骤,提供一基板;
涂覆步骤,在所述基板上表面涂覆一层光阻溶液,形成光阻层;
干燥步骤,对所述光阻层进行干燥处理;
烘烤步骤,对所述基板进行烘烤处理;
降温步骤,对所述基板进行降温处理;
曝光步骤,采用掩膜板对所述光阻层进行曝光处理;
显影步骤,采用碱性显影液对所述光阻层进行显影处理,形成一像素定义层;
清洗步骤,对所述基板、所述像素定义层进行清洗处理;以及
高温固化步骤,对所述像素定义层进行高温固化处理。
4.如权利要求3所述的显示面板制备方法,其特征在于,
在所述涂覆步骤中,所述光阻溶液为负性光阻溶液;
在所述干燥步骤中,所述光阻层被置于真空干燥腔内;
在所述烘烤步骤中,所述基板被放置于88℃~92℃的热板上,进行加热处理88s~92s;
在所述降温步骤中,所述基板被放置于20℃~25℃的冷板上,进行降温处理58s~62s。
5.如权利要求3所述的显示面板制备方法,其特征在于,
在所述高温固化步骤中,所述像素定义层被置于220℃~240℃的环境下进行高温固化处理58s~62s。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





