[发明专利]半导体分隔装置有效
| 申请号： | 201910549165.7 | 申请日： | 2019-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN110634807B | 公开（公告）日： | 2022-07-29 |
| 发明（设计）人： | I·D·裘兰德;D·里奇;G·哈里斯 | 申请（专利权）人： | 朗美通技术英国有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/16 | 分类号： | H01L23/16;H01L23/31;H01L21/027;H01L21/56 |
| 代理公司： | 北京润平知识产权代理有限公司 11283 | 代理人： | 李晶晶;李健 |
| 地址： | 英国北*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 分隔 装置 | ||
1.一种半导体基板堆，包括：
多个半导体基板，多个所述半导体基板在堆中布置，其中，所述多个半导体基板中相邻的半导体基板的多个相对的面对表面被间隙隔开；所述多个半导体基板中每个半导体基板在所述堆的暴露边缘处具有边缘表面；
间隔件，所述间隔件附接至多个所述半导体基板中的每一者的所述面对表面中的一者上，并在所述相邻的半导体基板之间延伸以限定所述间隙，并从所述堆的所述暴露边缘处横向向内的方向上掩蔽所述多个半导体基板中每个各自的半导体基板的中心部分；其中所述间隔件具有沿着相应的半导体基板的全长延伸的长度。
2.根据权利要求1所述的半导体基板堆，其中，所述间隔件与所述暴露边缘分离。
3.根据权利要求1所述的半导体基板堆，其中，所述间隔件粘合至多个所述半导体基板中的每一者的所述面对表面的一者。
4.根据权利要求1所述的半导体基板堆，其中，所述间隔件是光致抗蚀剂。
5.根据权利要求1所述的半导体基板堆，其中，所述间隔件具有大于5微米的厚度。
6.根据权利要求1所述的半导体基板堆，其中，所述间隔件具有小于100微米的厚度。
7.根据权利要求1所述的半导体基板堆，其中，所述暴露边缘以及每个半导体基板的上部面对表面和下部相对表面中的至少一者包括涂层。
8.根据权利要求7所述的半导体基板堆，其中，所述涂层是抗反射的。
9.一种半导体基板堆，包括：
第一半导体基板，其具有布置为越过所述第一半导体基板的面对表面的多个第一模具，并且被分模线限定，以及
第二半导体基板，其具有布置为越过所述第二半导体基板的面对表面的多个第二模具；所述第二半导体基板的面对表面与所述第一半导体基板的面对表面相对；
其中所述多个第一模具中的每个包括至少一个半导体装置和间隔件；以及
其中所述间隔件在所述第一半导体基板和所述第二半导体基板之间延伸，以限定间隙，并从所述堆的暴露边缘处横向向内的方向上掩蔽所述第一半导体基板和所述第二半导体基板的中心部分；其中所述间隔件具有沿着相应的半导体基板的全长延伸的长度。
10.根据权利要求9所述的半导体基板堆，其中，所述间隔件包括具有纵向轴线的细长主体。
11.根据权利要求9所述的半导体基板堆，其中，所述间隔件附接至所述多个第一模具中的至少一者。
12.根据权利要求9所述的半导体基板堆，其中，所述间隔件延伸越过所述多个第一模具中的多于一个。
13.根据权利要求9所述的半导体基板堆，其中，所述间隔件包含在所述多个第一模具中的一者的范围内，且不穿越所述分模线。
14.根据权利要求9所述的半导体基板堆，其中，所述间隔件被粘附至所述半导体装置。
15.根据权利要求9所述的半导体基板堆，其中，所述间隔件是光致抗蚀剂。
16.根据权利要求9所述的半导体基板堆，其中，所述间隔件具有大于5微米的厚度。
17.根据权利要求9所述的半导体基板堆，其中，所述间隔件具有小于100微米的厚度。
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