[发明专利]闪存装置及其制造方法

说明书

本发明提供了一种闪存装置及其制造方法，该闪存装置包括基板、第一介电层、第二介电层、第三介电层、第一多晶硅层及第二多晶硅层。第一介电层形成于位于周边区的第一区的基板上。第二介电层形成于位于周边区的第二区的基板上。第三介电层形成于位于阵列区的基板上。第三介电层的底表面低于第二介电层的底表面。第一多晶硅层形成于第一介电层及第二介电层上。第二多晶硅层形成于第三介电层上。

技术领域

本发明有关于一种存储器装置，且特别有关于一种闪存装置及其制造方法。

背景技术

在闪存装置的生产技术中，藉由多重氧化工艺，可在一个芯片的多个区域中形成厚度不同的氧化层。取决于氧化层的厚度，各区域可对应不同的操作电压。如此一来，可增加电路设计的灵活性，并且可提升产品价值。

然而，现有的多重氧化工艺中，浮动栅极中所包括的掺质有可能进入穿隧介电层或穿透穿隧介电层而进入基板中，导致操作的错误，从而降低闪存装置的良率及可靠度。

因此，在闪存装置的领域中，对于可靠度及良率的提升仍有所需求。

发明内容

本发明实施例提供一种闪存装置及其制造方法，能够避免掺质穿透穿隧介电层而造成穿隧介电层可靠度下降，并且可改善穿隧介电层的厚度均匀性。

本发明的一实施例揭示一种闪存装置，包括：基板，其中基板包括阵列区及周边区，且周边区包括第一区及第二区；第一介电层，形成于位于第一区的基板上；第二介电层，形成于位于第二区的基板上；第三介电层，形成于位于阵列区的基板上，其中第三介电层的底表面低于第二介电层的底表面；第一多晶硅层，形成于第一介电层及第二介电层上，其中第一多晶硅层包括第一掺质；以及第二多晶硅层，形成于第三介电层上，其中第二多晶硅层包括第二掺质。

本发明的一实施例揭示一种闪存装置的制造方法，包括：提供基板，其中基板包括阵列区及周边区，且周边区包括第一区及第二区；形成第一介电层位于阵列区及第一区的基板上；形成第二介电层位于第二区的基板上；形成第一多晶硅层于第一介电层及第二介电层上，其中第一多晶硅层包括第一掺质；移除位于阵列区的第一多晶硅层与第一介电层，以暴露出位于阵列区的基板；以及形成第三介电层于位于阵列区的基板上，其中第三介电层的底表面低于第二介电层的底表面。

通过本发明实施例所提供的闪存装置的制造方法，能够避免三重氧化工艺所遭遇的掺质穿透或氧化层厚度不均的问题。因此，能够明显改善闪存装置的良率及可靠度。

附图说明

图1A至图1H为本发明一些实施例的制造闪存装置的各步骤中对应的剖面示意图。

附图标记说明

10～阵列区；

108～光掩膜层；

20～周边区；

110～第一介电层；

20A～第一区；

120～第二介电层；

20B～第二区；

130～第一多晶硅层；

20C～第三区；

132～氮化物光掩膜层；

100～闪存装置；

134～光阻层；

102～基板；

140～第三介电层；

104～牺牲层；

150～第二多晶硅层；

106～衬垫氮化物层；