[发明专利]闪存装置及其制造方法

权利要求书

1.一种闪存装置，其特征在于，所述装置包括：

一基板，其中所述基板包括一阵列区及一周边区，且所述周边区包括一第一区及一第二区；

一第一介电层，形成于位于所述第一区的所述基板上；

一第二介电层，形成于位于所述第二区的所述基板上；

一第三介电层，形成于位于所述阵列区的所述基板上，其中所述第三介电层的底表面低于所述第二介电层的底表面；

一第一多晶硅层，形成于所述第一介电层及所述第二介电层上，其中所述第一多晶硅层包括一第一掺质；以及

一第二多晶硅层，形成于所述第三介电层上，其中所述第二多晶硅层包括一第二掺质。

2.根据权利要求1所述的闪存装置，其特征在于，所述第一介电层、所述第二介电层及所述第三介电层均为经氮化处理的氧化层。

3.根据权利要求2所述的闪存装置，其特征在于，所述第一介电层具有一第一厚度，所述第二介电层具有一第二厚度，所述第三介电层具有一第三厚度，且其中所述第一厚度大于所述第二厚度及所述第三厚度，且所述第三厚度大于所述第二厚度。

4.根据权利要求1所述的闪存装置，其特征在于，所述第一掺质与所述第二掺质均为硼。

5.根据权利要求2所述的闪存装置，其特征在于，所述基板还包括一第三区，所述第三介电层形成于位于所述阵列区及所述第三区的所述基板上，其中位于所述阵列区的所述第三介电层的底表面与所述第三区的所述第三介电层的底表面共平面。

6.一种闪存装置的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

提供一基板，其中所述基板包括一阵列区及一周边区，且所述周边区包括一第一区及一第二区；

形成一第一介电层于位于所述阵列区及所述第一区的所述基板上；

形成一第二介电层于位于所述第二区的所述基板上；

形成一第一多晶硅层于所述第一介电层及所述第二介电层上，其中所述第一多晶硅层包括一第一掺质；

移除位于所述阵列区的所述第一多晶硅层与所述第一介电层，以暴露出位于所述阵列区的所述基板；以及

形成一第三介电层于位于所述阵列区的所述基板上，其中所述第三介电层的底表面低于所述第二介电层的底表面。

7.根据权利要求6所述的闪存装置的制造方法，其特征在于，还包括：

在形成所述第二介电层之后，对所述第一介电层与所述第二介电层进行一第一氮化工艺；以及

在形成所述第三介电层之后，对所述第三介电层进行一第二氮化工艺，

其中，所述第一介电层、所述第二介电层及所述第三介电层均为氧化层。

8.根据权利要求7所述的闪存装置的制造方法，其特征在于，所述第一氮化工艺及所述第二氮化工艺包括氮氧化物退火工艺、电浆氮化退火工艺或电浆氮化工艺。

9.根据权利要求6所述的闪存装置的制造方法，其特征在于，所述周边区还包括一第三区，且所述第三介电层同时形成于位于所述阵列区及所述第三区的所述基板上。

10.根据权利要求7所述的闪存装置的制造方法，其特征在于，所述第一介电层的厚度为10-40nm。

11.根据权利要求6所述的闪存装置的制造方法，其特征在于，所述第二介电层的厚度为1-4nm。

12.根据权利要求6所述的闪存装置的制造方法，其特征在于，所述第三介电层的厚度为5-9nm。

13.根据权利要求7所述的闪存装置的制造方法，其特征在于，所述第一介电层具有一第一厚度，所述第二介电层具有一第二厚度，所述第三介电层具有一第三厚度，且其中所述第一厚度大于所述第二厚度及所述第三厚度，且所述第三厚度大于所述第二厚度。

14.根据权利要求7所述的闪存装置的制造方法，其特征在于，还包括：

在形成所述第一介电层之前，形成一牺牲层于所述基板上，再移除位于所述阵列区及所述第一区的所述牺牲层，以暴露出位于所述阵列区及所述第一区的所述基板；以及

在形成所述第一介电层之后，移除位于所述第二区的所述牺牲层，以暴露出位于所述第二区的所述基板，

其中，形成所述第一介电层的步骤包括对所述基板进行一第一热氧化工艺，且形成所述第二介电层的步骤包括对所述基板进行一第二热氧化工艺。