[发明专利]一种基于薄膜体声波谐振器的圆偏振光的偏振态探测器

说明书

本发明涉及一种基于薄膜体声波谐振器的圆偏振光的偏振态探测器，包括衬底层，所述衬底层的上方设置有第一电极层，所述第一电极层的上方设置有压电薄膜层；所述压电薄膜层上设置第二电极层，所述第二电极层的上方设置有手性结构阵列；该基于薄膜体声波谐振器的圆偏振光的偏振态探测器，通过在薄膜体声波谐振器上设置手性结构阵列，手性结构阵列对不同偏振态的圆偏振光吸收不同，这样会对薄膜体声波谐振器的谐振波长的改变不同，从而实现圆偏振光的偏振态探测。

技术领域

本发明涉及圆偏振光技术领域，具体涉及一种基于薄膜体声波谐振器的圆偏振光的偏振态探测器。

背景技术

光探测器的物理效应通常分为光子效应和光热效应，对应的探测器分别称为光子型探测器和光热型探测器。各种光子型探测器的共同特征是采用半导体能带材料，光子能量对探测材料中光电子的产生起直接作用，故光子型探测器存在截止响应频率或波长，且光谱响应限于某一波段，因此不同的材料体系决定了探测器具有不同的响应波长范围，一般难以用于宽谱或多谱段探测。对于光热型探测器，在吸收光辐射能量后，并不直接引起内部电子状态的改变，而是把吸收的光能变为晶格的热运动能量，引起探测元件温度上升，从而引起探测元件的电学性质或其他物理性质发生变化，故光热效应与光子能量的大小没有直接关系，光热型探测器原则上对频率没有选择性。由于红外波段特别是中长波红外以上波段的光热效应相比紫外和可见光更明显，故光热探测器通常用于中长波光学辐射的探测，典型的光热型探测器包括微测辐射热计、热释电探测器和热偶探测器等种类。由于温度升高是热积累的作用，基于光热效应的热探测器一般响应速度较慢，在毫秒量级。

然而，现有的光热探测器主要是用来探测光的强度，主要的改进方向也体现在如何探测的光的强度方面；无法进行圆偏振光方向的探测。

发明内容

本发明的目的是提供一种是解决现有光热探测器无法进行圆偏振光方向的探测的问题，该基于薄膜体声波谐振器的圆偏振光的偏振态探测器，包括衬底层，所述衬底层的上方设置有第一电极层，所述第一电极层的上方设置有压电薄膜层；所述压电薄膜层上设置第二电极层，所述第二电极层的上方设置有手性结构阵列。

所述手性结构阵列是由多个L形的手性结构组成。

所述L形的手性结构的第一臂与第二臂的高度不同。

所述手性结构阵列是由多个U形的手性结构组成。

所述U形的手性结构的左臂与右臂的高度不同。

所述压电薄膜层是由AlN、ZnO、LiNbO3或石英中的任意一种制成。

所述压电薄膜层是的厚度是100nm～500nm。

所述第一电极层、第二电极层是由金、银、铜中的任意一种制成。

所述衬底层是由二氧化硅制成。

本发明的有益效果：本发明提供的这种基于薄膜体声波谐振器的圆偏振光的偏振态探测器，通过在薄膜体声波谐振器上设置手性结构阵列，手性结构阵列对不同偏振态的圆偏振光吸收不同，这样会对薄膜体声波谐振器的谐振波长的改变不同，从而实现圆偏振光的偏振态探测。

以下将结合附图对本发明做进一步详细说明。

附图说明

图1是基于薄膜体声波谐振器的圆偏振光的偏振态探测器结构示意图。

图2是L形的手性结构的示意图。

图3是U形的手性结构的示意图。

图中：1、衬底层；2、第一电极层；3、压电薄膜层；4、第二电极层；5、手性结构阵列；6、第一臂；7、第二臂；8、左臂；9、右臂。

具体实施方式