[发明专利]一种基于薄膜体声波谐振器的圆偏振光的偏振态探测器在审
| 申请号： | 201910547673.1 | 申请日： | 2019-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN110289829A | 公开（公告）日： | 2019-09-27 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 金华伏安光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H03H9/02 | 分类号： | H03H9/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 322200 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 薄膜体声波谐振器 圆偏振光 偏振态 手性结构 探测器 压电薄膜层 第二电极 第一电极 衬底层 谐振波长 探测 吸收 | ||
1.一种基于薄膜体声波谐振器的圆偏振光的偏振态探测器，其特征在于：包括衬底层（1），所述衬底层（1）的上方设置有第一电极层（2），所述第一电极层（2）的上方设置有压电薄膜层（3）；所述压电薄膜层（3）上设置第二电极层（4），所述第二电极层（4）的上方设置有手性结构阵列（5）。
2.如权利要求1所述的基于薄膜体声波谐振器的圆偏振光的偏振态探测器，其特征在于：所述手性结构阵列（5）是由多个L形的手性结构组成。
3.如权利要求2所述的基于薄膜体声波谐振器的圆偏振光的偏振态探测器，其特征在于：所述L形的手性结构的第一臂（6）与第二臂（7）的高度不同。
4.如权利要求1所述的基于薄膜体声波谐振器的圆偏振光的偏振态探测器，其特征在于：所述手性结构阵列（5）是由多个U形的手性结构组成。
5.如权利要求4所述的基于薄膜体声波谐振器的圆偏振光的偏振态探测器，其特征在于：所述U形的手性结构的左臂（8）与右臂（9）的高度不同。
6.如权利要求1所述的基于薄膜体声波谐振器的圆偏振光的偏振态探测器，其特征在于：所述压电薄膜层（3）是由AlN、ZnO、LiNbO3或石英中的任意一种制成。
7.如权利要求1所述的基于薄膜体声波谐振器的圆偏振光的偏振态探测器，其特征在于：所述压电薄膜层（3）是的厚度是100nm～500nm。
8.如权利要求1所述的基于薄膜体声波谐振器的圆偏振光的偏振态探测器，其特征在于：所述第一电极层（2）、第二电极层（4）是由金、银、铜中的任意一种制成。
9.如权利要求1所述的基于薄膜体声波谐振器的圆偏振光的偏振态探测器，其特征在于：所述衬底层（1）是由二氧化硅制成。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于金华伏安光电科技有限公司，未经金华伏安光电科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910547673.1/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种可调带隙的声表面波器件
- 下一篇：一种分支滤波网络
