[发明专利]一种增强型薄膜体声波谐振器

说明书

本发明涉及一种增强型薄膜体声波谐振器，包括第一电极层，所述第一电极层的上方设置有第一压电薄膜层；所述第一压电薄膜层上设置有第二电极层，所述第二电极层的上方设置有第二压电薄膜层；所述第二压电薄膜层的上方设置有第三电极层；该增强型薄膜体声波谐振器，通过设置两个压电薄膜层，形成两个能够叠加薄膜体声波谐振器，使得薄膜体声波谐振器的逆压电效应所产生的声波相位相同，能够进行叠加共振，从而增强声波的强度，也可以使得薄膜体声波谐振器的逆压电效应所产生的声波相位相反，产生更窄的共振波峰，具有更小的半峰宽，有利于提高利用增强型薄膜体声波谐振器进行温度、气体探测时的灵敏度。

技术领域

本发明涉及声波谐振技术领域，具体涉及一种增强型薄膜体声波谐振器。

背景技术

薄膜体声波谐振器,其英文全称是Film Bulk Acoustic Resonator,缩写为FBAR。不同于以前的滤波器，是使用硅底板、借助MEMS技术以及薄膜技术而制造出来的。在无线收发器中实现镜像消除、寄生滤波和信道选择等功能，有较高Q值和易实现微型化等特点。

随着薄膜与微纳制造技术的发展，电子器件正向微型化、高密集复用、高频率和低功耗的方向迅速发展。近年来发展起来的增强型薄膜体声波谐振器（FBAR）采用一种先进的谐振技术,它是通过压电薄膜的逆压电效应将电能量转换成声波而形成谐振，这一谐振技术可以用来制作薄膜频率整形器件等先进元器件，增强型薄膜体声波谐振器（FBAR）声波器件具有体积小,成本低,品质因数（Q）高、功率承受能力强、频率高（可达1-10GHz）且与IC技术兼容等特点，适合于工作在1-10 GHz的RF系统应用，有望在未来的无线通讯系统中取代传统的声表面波（SAW）器件和微波陶瓷器，因此在新一代无线通信系统和超微量生化检测领域具有广阔的应用前景。

发明内容

本发明的目的是提供了一种增强型薄膜体声波谐振器，包括第一电极层，所述第一电极层的上方设置有第一压电薄膜层；所述第一压电薄膜层上设置有第二电极层，所述第二电极层的上方设置有第二压电薄膜层；所述第二压电薄膜层的上方设置有第三电极层。

所述第二电极层的厚度为30nm～100nm。

所述第二电极层为网状结构。

所述第一电极层、第三电极层的厚度为100nm～300nm。

所述第一电极层、第二电极层、第三电极层均是由金、银、铜中的任意一种制成。

所述第一压电薄膜层、第二压电薄膜层均是由AlN、ZnO、LiNbO3或石英中的任意一种制成。

所述第一压电薄膜层的厚度是100nm～500nm。

所述第二压电薄膜层的厚度是100nm～500nm。

本发明的有益效果：本发明提供的这种增强型薄膜体声波谐振器，通过设置两个压电薄膜层，形成两个能够叠加薄膜体声波谐振器，使得薄膜体声波谐振器的逆压电效应所产生的声波相位相同，能够进行叠加共振，从而增强声波的强度，也可以使得薄膜体声波谐振器的逆压电效应所产生的声波相位相反，产生更窄的共振波峰，具有更小的半峰宽，有利于提高利用增强型薄膜体声波谐振器进行温度、气体探测时的灵敏度。

以下将结合附图对本发明做进一步详细说明。

附图说明

图1是增强型薄膜体声波谐振器的结构示意图。

图中：1、第一电极层；2、第一压电薄膜层；3、第二电极层；4、第二压电薄膜层；5、第三电极层。

具体实施方式

为进一步阐述本发明达成预定目的所采取的技术手段及功效，以下结合附图及实施例对本发明的具体实施方式、结构特征及其功效，详细说明如下。

实施例1