[发明专利]一种增强型薄膜体声波谐振器在审
| 申请号： | 201910547565.4 | 申请日： | 2019-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN110247641A | 公开（公告）日： | 2019-09-17 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 金华伏安光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H03H9/17 | 分类号： | H03H9/17;H03H9/13 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 322200 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 压电薄膜层 体声波谐振器 增强型薄膜 薄膜体声波谐振器 逆压电效应 第二电极 第一电极 声波相位 共振 叠加 声波 第三电极 气体探测 半峰宽 灵敏度 波峰 | ||
1.一种增强型薄膜体声波谐振器，其特征在于：包括第一电极层（1），所述第一电极层（1）的上方设置有第一压电薄膜层（2）；所述第一压电薄膜层（2）上设置有第二电极层（3），所述第二电极层（3）的上方设置有第二压电薄膜层（4）；所述第二压电薄膜层（4）的上方设置有第三电极层（5）。
2.如权利要求1所述的增强型薄膜体声波谐振器，其特征在于：所述第二电极层（3）的厚度为30nm～100nm。
3.如权利要求1所述的增强型薄膜体声波谐振器，其特征在于：所述第二电极层（3）为网状结构。
4.如权利要求1所述的增强型薄膜体声波谐振器，其特征在于：所述第一电极层（1）、第三电极层（5）的厚度为100nm～300nm。
5.如权利要求1所述的增强型薄膜体声波谐振器，其特征在于：所述第一电极层（1）、第二电极层（3）、第三电极层（5）均是由金、银、铜中的任意一种制成。
6.如权利要求1所述的增强型薄膜体声波谐振器，其特征在于：所述第一压电薄膜层（2）、第二压电薄膜层（4）均是由AlN、ZnO、LiNbO3或石英中的任意一种制成。
7.如权利要求1所述的增强型薄膜体声波谐振器，其特征在于：所述第一压电薄膜层（2）的厚度是100nm～500nm。
8.如权利要求1所述的增强型薄膜体声波谐振器，其特征在于：所述第二压电薄膜层（4）的厚度是100nm～500nm。
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