[发明专利]带有熔断模式的多芯组瓷介电容器和制备方法在审

专利信息
申请号: 201910547017.1 申请日: 2019-06-24
公开(公告)号: CN110136960A 公开(公告)日: 2019-08-16
发明(设计)人: 周雪峰;王剑;杜红炎 申请(专利权)人: 北京元六鸿远电子科技股份有限公司
主分类号: H01G4/38 分类号: H01G4/38;H01G4/40;H01G4/30;H01G4/232;H01G4/12
代理公司: 北京汇信合知识产权代理有限公司 11335 代理人: 朱鹏
地址: 100070 北京市丰台*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 引线框架 单体电容 熔断器 熔断 瓷介电容器 导电引线 绝缘处理 多芯 两组 制备 电容器 四边 芯片 平行并列设置 独立单元体 导线引线 环氧粉末 引出端口 引出结构 粘接固定 受力点 粘连 并联 加载 减小 拼组 交错 均衡 融合
【权利要求书】:

1.一种带有熔断模式的多芯组瓷介电容器,其特征在于,包括:引线框架、单体电容模块和熔断器;

所述引线框架为四边二引出结构,所述引线框架包括两组一正一负的导电引线,两组所述导线引线均匀交错并由相对的极性引出端口引出,形成正负两极的极性引出端,所述引线框架之间平行并列设置;

所述单体电容模块为多支MLCC芯片粘连拼组而成,所述MLCC芯片之间并联或串联连接为一独立单元体;

所述单体电容模块的任一端加载所述熔断器,相对另一端进行绝缘处理,所述单体电容模块装配至所述引线框架内,所述单体电容模块的绝缘处理端与所述引线框架的极性引出端相粘接固定,所述熔断器一端搭焊至另一极的导电引线。

2.根据权利要求1所述的带有熔断模式的多芯组瓷介电容器,其特征在于,所述引线框架上所述导电引线之间设置冲流孔。

3.根据权利要求1或2所述的带有熔断模式的多芯组瓷介电容器,其特征在于,所述引线框架上靠近所述极性引出端处设置加固通孔。

4.根据权利要求3所述的带有熔断模式的多芯组瓷介电容器,其特征在于,并列相连的所述引线框架上,每组所述引线框架的极性引出端外设置定位孔,用于在加工过程中对所述引线框架进行定位。

5.根据权利要求1所述的带有熔断模式的多芯组瓷介电容器,其特征在于,所述引线框架采用冲裁模具冲裁方法或激光切割方法对铁镍合金带进行加工,形成所述四边二引出结构。

6.根据权利要求1所述的带有熔断模式的多芯组瓷介电容器,其特征在于,所述单体电容模块的多支MLCC芯片之间采用耐高温有机胶粘连,所述单体电容模块的绝缘处理端采用浸渍绝缘漆进行绝缘处理,并通过耐高温有机胶与所述极性引出端相粘接固定。

7.一种带有熔断模式的多芯组瓷介电容器的制备方法,其特征在于,包括:

制备四边二引出结构的引线框架,并将所述引线框架的两组导电引线均匀交错并由相对的极性引出端口引出,形成正负两极的极性引出端;

将多支MLCC芯片之间并联或串联后粘连拼组为单体电容模块;

将所述单体电容模块的任一端进行绝缘处理,另一端加载熔断器;

将所述单体电容模块的绝缘处理端与所述引线框架的极性引出端相粘接固定,所述熔断器一端搭焊至另一极的导电引线。

8.根据权利要求7所述的带有熔断模式的多芯组瓷介电容器的制备方法,其特征在于,在所述引线框架上的所述导电引线之间设置冲流孔,在所述引线框架上靠近所述极性引出端处设置加固通孔,在并列相连的所述引线框架上每组所述引线框架的极性引出端外设置定位孔。

9.根据权利要求7所述的带有熔断模式的多芯组瓷介电容器的制备方法,其特征在于,采用冲裁模具冲裁方法或激光切割方法对铁镍合金带进行加工,形成四边二引出结构的所述引线框架。

10.根据权利要求7所述的带有熔断模式的多芯组瓷介电容器的制备方法,其特征在于,采用耐高温有机胶对所述单体电容模块的多支MLCC芯片进行粘连,采用浸渍绝缘漆对所述单体电容模块的绝缘处理端进行绝缘处理,采用耐高温有机胶对所述绝缘处理端与所述极性引出端进行粘接固定。

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