[发明专利]一种防止PCB浅阶梯槽分层的方法

权利要求书

1.一种防止PCB浅阶梯槽分层的方法，其特征在于，包括

钻导气孔；层压；第一次激光控深揭盖；第二次激光控深揭盖。

2.如权利要求1所述的防止PCB浅阶梯槽分层的方法，其特征在于，所述钻导气孔之前包括：

开料，按要求将高频基板的板料和PP开成所要求大小的尺寸；

电铣PP，在PP上开槽，其中所述开槽与高频基板上待加工的浅阶梯槽位置对应。

3.如权利要求1所述的防止PCB浅阶梯槽分层的方法，其特征在于，所述钻导气孔包括：

根据待加工浅阶梯槽的面积在高频基板上钻对应数量的导气孔，其中每一个导气孔的面积对应待加工的浅阶梯槽面积为1：350~360。

4.如权利要求3所述的防止PCB浅阶梯槽分层的方法，其特征在于，所述高频基板上浅阶梯槽的面积每25mm²对应一个孔径为0.3mm的导气孔。

5.如权利要求3所述的防止PCB浅阶梯槽分层的方法，其特征在于，在钻导气孔与层压之间还包括：

贴胶带，在高频基板需要控深揭盖位置的一面整面贴胶带；其中，所述胶带厚度为0.05mm；

激光切割，利用激光切割去掉多余的胶带，保留需要控深揭盖位置的胶带。

6.如权利要求5所述的防止PCB浅阶梯槽分层的方法，其特征在于，所述层压包括：

对激光切割胶带后的高频基板进行第一次烤板，温度控制在150℃，持续时间2小时；

对烤板后的高频基板进行棕化处理；

棕化处理后对高频基板进行第二次烤板，温度控制在150℃，持续时间2小时；

在第二次烤板后6小时内对高频基板进行热熔和排板处理，10小时内上压机进行压合。

7.如权利要求6所述的防止PCB浅阶梯槽分层的方法，其特征在于，在层压与第一次激光控深揭盖之间还包括：

第一次钻孔，按钻孔资料进行第一次机械钻孔；

对第一次钻孔后的基板进行沉铜、整板电镀、孔点图形转移、孔点电镀和退膜。

8.如权利要求7所述的防止PCB浅阶梯槽分层的方法，其特征在于，所述第一次激光控深揭盖与第二次激光控深揭盖之间还包括：

树脂塞孔；第二次钻孔；外层图形制作；电镀纯金；阻焊文字。

9.如权利要求8所述的防止PCB浅阶梯槽分层的方法，其特征在于，所述第一次激光控深揭盖与第二次激光控深揭盖图形一致，其中控深揭盖位置的面积大于300 mm²做第一次激光控深揭盖，第一次激光控深揭盖图形面积为第二次激光控深揭盖图形面积的40%。

10.一种防止PCB浅阶梯槽分层的方法，其特征在于，包括：

开料，按要求将高频基板的板料和PP开成所要求大小的尺寸；

电铣PP，在PP上开槽，其中所述开槽与高频基板上待加工的浅阶梯槽位置对应；

钻导气孔，根据待加工浅阶梯槽的面积在高频基板上钻对应数量的导气孔，其中所述高频基板上浅阶梯槽的面积每25mm²对应钻一个孔径为0.3mm的导气孔；

贴高温胶带，在高频基板需要控深揭盖位置的一面整面贴高温胶带；其中，所述胶带厚度为0.05mm；

激光切割，利用激光切割去掉多余的胶带，保留需要控深揭盖位置的胶带；

对激光切割胶带后的高频基板进行第一次烤板，温度控制在150℃，持续时间2小时；

对烤板后的高频基板进行棕化处理；

棕化处理后对高频基板进行第二次烤板，温度控制在150℃，持续时间2小时；

在第二次烤板后6小时内对高频基板进行热熔和排板处理，10小时内上压机进行压合；

第一次钻孔，按钻孔资料进行第一次机械钻孔，对第一次钻孔后的基板进行沉铜、整板电镀、孔点图形转移、孔点电镀和退膜；

第一次激光控深揭盖；对控深揭盖位置的面积大于300 mm²做第一次激光控深揭盖；

树脂塞孔；

第二次钻孔；

外层图形制作：沉铜、整板电镀、图形转移、图形电镀、碱性蚀刻；

外层湿膜、图形转移、电镀纯金、二次退膜、外层蚀刻

阻焊，需保护位置做丝印油墨；

文字，元器件位置丝印相应的文字；

第二次激光控深揭盖，其中第二次激光控深揭盖的图形与第一次激光控深揭盖的图形一致，且第二次激光控深揭盖图形的面积为第一次激光控深揭盖图形面积的1.5倍，通过第二次激光控深揭盖完成PCB板上所有位置的控深揭盖；

电铣，用数控机械按资料铣出需要的图形。