[发明专利]硅片吸附装置及激光退火设备

说明书

本发明公开了一种硅片吸附装置及激光退火设备，该硅片吸附装置具有能够吸附硅片的吸附面，还包括标识差异件，标识差异件设置在硅片吸附装置上，用于形成标识区域，吸附面包括吸附区域，吸附区域被配置为能够吸附固定硅片，标识区域与吸附区域相邻设置，硅片被吸附区域吸附固定后，硅片的边缘至少部分落入标识区域内，标识区域与硅片具有不同的机器识别度。上述的硅片吸附装置能够提高硅片边缘提取精度及效率，硅片与吸盘对准效率高，有利于提高激光退火设备产能。相应地，本发明还提供一种激光退火设备。

技术领域

本发明涉及集成电路制造领域，尤其涉及一种硅片吸附装置及激光退火设备。

背景技术

在激光退火工艺中，需要对硅片的边缘进行准确地识别，以确保激光退火工艺精度。传统激光退火设备的吸盘均为碳化硅材质，碳化硅吸盘的颜色与硅片的颜色(多为生色，以黑色为主)相同，使得探测装置很难对硅片和吸盘进行区分，无法辨别硅片和吸盘的位置，硅片边缘提取精度低，导致硅片对准成功率较低，需要反复多次调试校准，硅片与吸盘对准效率低，影响激光退火设备产能。

发明内容

本发明的一个目的在于提出一种硅片吸附装置，能够提高硅片边缘提取精度及效率，硅片与吸盘对准效率高，有利于提高激光退火设备产能。

本发明的另一个目的在于提出一种激光退火设备，能够提高硅片与吸盘对准效率，设备产能高。

为达此目的，一方面，本发明采用以下技术方案：

一种硅片吸附装置，该硅片吸附装置具有能够吸附硅片的吸附面，还包括标识差异件，标识差异件设置在硅片吸附装置上，用于形成标识区域，吸附面包括吸附区域，吸附区域被配置为能够吸附固定硅片，标识区域与吸附区域相邻设置，硅片被吸附区域吸附固定后，硅片的边缘至少部分落入标识区域内，标识区域与硅片具有不同的机器识别度。

在其中一个实施例中，不同的机器识别度包括颜色差异识别和/或光反射率差异识别；标识区域的颜色与硅片的颜色不同；和/或，标识区域的光反射率与硅片的光反射率不同。

在其中一个实施例中，标识区域的颜色为白色、金色、银色或黄色。

在其中一个实施例中，标识区域对波长为400nm～800nm的光的反射率达到40％以上。

在其中一个实施例中，标识区域采用陶瓷氧化钢、模具钢和氧化锆中的至少一种制成。

在其中一个实施例中，标识区域呈环形，环形的标识区域上沿径向开设有至少一个缺口。

在其中一个实施例中，缺口的宽度为0.2mm～3mm。

在其中一个实施例中，上述的硅片吸附装置还包括基座，环形的标识区域包括标识环，基座上设置有环形的安装区，标识环设置在安装区内。

在其中一个实施例中，标识环通过胶粘或机械固定方式固定在安装区内。

在其中一个实施例中，硅片被吸附区域吸附固定后，硅片的边缘至少有三个边缘点落入标识区域内。

在其中一个实施例中，硅片的上片方向为0°，硅片被吸附区域吸附固定后，硅片的边缘位于0°、90°、180°和270°的边缘点；和/或，硅片的边缘位于45°、135°、225°和315°的边缘点落入标识区域内。

在其中一个实施例中，硅片被吸附区域吸附固定后，硅片的定位口落入标识区域内。

在其中一个实施例中，标识区域的表面高度与吸附区域的表面高度相同。

在其中一个实施例中，标识区域包括多个沿轴向叠加设置的标识环。

在其中一个实施例中，多个标识环之间粘接连接。

在其中一个实施例中，标识区域的径向宽度不唯一。