[发明专利]硅片吸附装置及激光退火设备在审

专利信息
申请号: 201910543485.1 申请日: 2019-06-21
公开(公告)号: CN112117209A 公开(公告)日: 2020-12-22
发明(设计)人: 冒鹏飞;蔡晨;张德峰;杨博光 申请(专利权)人: 上海微电子装备(集团)股份有限公司
主分类号: H01L21/67 分类号: H01L21/67;H01L21/683;H01L21/268;H01L21/324
代理公司: 北京品源专利代理有限公司 11332 代理人: 胡彬
地址: 201203 上海市浦*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 硅片 吸附 装置 激光 退火 设备
【权利要求书】:

1.一种硅片吸附装置,所述硅片吸附装置具有能够吸附硅片的吸附面,其特征在于,还包括标识差异件,所述标识差异件设置在所述硅片吸附装置上,用于形成标识区域(12),所述吸附面包括吸附区域(11),所述吸附区域(11)被配置为能够吸附固定硅片,所述标识区域(12)与所述吸附区域(11)相邻设置,所述硅片被所述吸附区域(11)吸附固定后,所述硅片的边缘至少部分落入所述标识区域(12)内,所述标识区域(12)与所述硅片具有不同的机器识别度。

2.根据权利要求1所述的硅片吸附装置,其特征在于,不同的所述机器识别度包括颜色差异识别和/或光反射率差异识别;所述标识区域(12)的颜色与所述硅片的颜色不同;和/或,所述标识区域(12)的光反射率与所述硅片的光反射率不同。

3.根据权利要求2所述的硅片吸附装置,其特征在于,所述标识区域(12)的颜色为白色、金色、银色或黄色。

4.根据权利要求2所述的硅片吸附装置,其特征在于,所述标识区域(12)对波长为400nm~800nm的光的反射率达到40%以上。

5.根据权利要求2所述的硅片吸附装置,其特征在于,所述标识区域(12)采用陶瓷氧化钢、模具钢和氧化锆中的至少一种制成。

6.根据权利要求1至5任一项所述的硅片吸附装置,其特征在于,所述标识区域(12)呈环形,环形的所述标识区域(12)上沿径向开设有至少一个缺口(121)。

7.根据权利要求6所述的硅片吸附装置,其特征在于,所述缺口(121)的宽度为0.2mm~3mm。

8.根据权利要求6所述的硅片吸附装置,其特征在于,还包括基座(20),环形的所述标识区域(12)包括标识环(122),所述基座(20)上设置有环形的安装区,所述标识环(122)设置在所述安装区内。

9.根据权利要求8所述的硅片吸附装置,其特征在于,所述标识环(122)通过胶粘或机械固定方式固定在所述安装区内。

10.根据权利要求1至5任一项所述的硅片吸附装置,其特征在于,所述硅片被所述吸附区域(11)吸附固定后,所述硅片的边缘至少有三个边缘点落入所述标识区域(12)内。

11.根据权利要求1至5任一项所述的硅片吸附装置,其特征在于,所述硅片的上片方向为0°,所述硅片被所述吸附区域(11)吸附固定后,所述硅片的边缘位于0°、90°、180°和270°的边缘点;和/或,所述硅片的边缘位于45°、135°、225°和315°的边缘点落入所述标识区域(12)内。

12.根据权利要求1至5任一项所述的硅片吸附装置,其特征在于,所述硅片被所述吸附区域(11)吸附固定后,所述硅片的定位口落入所述标识区域(12)内。

13.根据权利要求1至5任一项所述的硅片吸附装置,其特征在于,所述标识区域(12)的表面高度与所述吸附区域(11)的表面高度相同。

14.根据权利要求13所述的硅片吸附装置,其特征在于,所述标识区域(12)包括多个沿轴向叠加设置的标识环(122)。

15.根据权利要求14所述的硅片吸附装置,其特征在于,多个所述标识环(122)之间粘接连接。

16.根据权利要求1至5任一项所述的硅片吸附装置,其特征在于,所述标识区域(12)的径向宽度不唯一。

17.一种激光退火设备,其特征在于,包括权利要求1至16任一项所述的硅片吸附装置。

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