[发明专利]III-V族半导体晶圆的减薄方法在审
| 申请号： | 201910542064.7 | 申请日： | 2019-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN110253421A | 公开（公告）日： | 2019-09-20 |
| 发明（设计）人： | 王鹤龙;陆嘉鑫;王国杰 | 申请（专利权）人： | 苏州长瑞光电有限公司 |
| 主分类号： | B24B37/10 | 分类号： | B24B37/10;B24B37/005;B24B49/00;B24B57/02;H01L21/304;H01L21/78 |
| 代理公司： | 北京德崇智捷知识产权代理有限公司 11467 | 代理人： | 杨楠 |
| 地址： | 215024 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶圆 半导体晶圆 小块 研磨 减薄 背面 多个器件 厚度减薄 生产效率 分割线 分割 保证 | ||
1.一种III-V族半导体晶圆的减薄方法，所述III-V族半导体晶圆具有通过多条分割线划分出的多个器件单元的正面以及与所述正面相对的背面，其特征在于，首先将所述III-V族半导体晶圆分割成多个独立的小块晶圆；然后对所述多个独立的小块晶圆的背面同时进行研磨，以使小块晶圆的厚度减薄。
2.如权利要求1所述III-V族半导体晶圆的减薄方法，其特征在于，沿部分所述分割线将所述III-V族半导体晶圆分割成多个独立的小块晶圆。
3.如权利要求1所述III-V族半导体晶圆的减薄方法，其特征在于，所述多个独立的小块晶圆的面积基本相同。
4.如权利要求3所述III-V族半导体晶圆的减薄方法，其特征在于，沿相互垂直的两个解理方向将所述III-V族半导体晶圆分割成四个形状、尺寸基本相同的小块晶圆。
5.如权利要求1所述III-V族半导体晶圆的减薄方法，其特征在于，所述研磨过程具体如下：
S1、在所述小块晶圆的正面覆盖可塑性胶质材料，并使其固化形成保护层；
S2、利用粘结剂并通过所述保护层将小块晶圆粘附于研磨载具的底面；
S3、在施加一定的压力并供给研磨液的条件下对小块晶圆的背面进行研磨，直至达到预定厚度；
S4、将小块晶圆从研磨载具上取下，去除小块晶圆正面的保护层及粘结剂后对其进行清洁。
6.如权利要求5所述III-V族半导体晶圆的减薄方法，其特征在于，所述可塑性胶质材料为以下任一种材料：辐射固化材料、热固化材料、电场固化材料、化学试剂固化材料。
7.如权利要求6所述III-V族半导体晶圆的减薄方法，其特征在于，所述可塑性胶质材料为光刻胶。
8.如权利要求5所述III-V族半导体晶圆的减薄方法，其特征在于，所述粘结剂为以下任一种材料：辐射固化材料、热固化材料、电场固化材料、化学试剂固化材料。
9.如权利要求8所述III-V族半导体晶圆的减薄方法，其特征在于，所述粘结剂为石蜡。
10.如权利要求1所述III-V族半导体晶圆的减薄方法，其特征在于，所述III-V族半导体为GaN、GaAs或InP。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州长瑞光电有限公司，未经苏州长瑞光电有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910542064.7/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种金属粉末研磨加工装置
- 下一篇：一种水晶研磨装置
