[发明专利]芯片封装结构的制作方法

权利要求书

1.一种芯片封装结构的制作方法，其特征在于，包括：

提供多晶粒封装结构，所述多晶粒封装结构包括第一塑封层以及包埋在所述第一塑封层内的多个晶粒，每一所述晶粒包括正面与背面，所述正面具有电互连结构；所述正面暴露于所述第一塑封层外；

在所述多晶粒封装结构中每一晶粒的正面形成外引脚；

将所述多晶粒封装结构划分为若干区域，每一区域包含若干晶粒；在所述多晶粒封装结构上形成包埋所述外引脚的第二塑封层，所述第二塑封层使用具有分隔板的多腔模具固化，所述分隔板位于相邻区域之间，用于隔断开第二塑封层；

研磨所述第二塑封层直至暴露出所述外引脚，形成多芯片封装结构；

切割所述多芯片封装结构形成多个芯片封装结构；

其中，所述多腔模具包括上模体与下模体，所述上模体与所述下模体对合后形成模具腔，所述分隔板设置于所述上模体；使用所述多腔模具形成固化的第二塑封层，包括：在每一区域贴装塑封膜，贴装的塑封膜在相邻区域之间具有间隔；将贴装有塑封膜的多晶粒封装结构置于下模体上，对合高温上模体，所述分隔板位于所述间隔内；通过所述上模体的热压作用，所述塑封膜变为液态塑封料并流动，继续受热后由液态变为固态的第二塑封层；去除多腔模具。

2.根据权利要求1所述的芯片封装结构的制作方法，其特征在于，每一区域的面积相等。

3.根据权利要求2所述的芯片封装结构的制作方法，其特征在于，每一区域内的晶粒数目相等。

4.根据权利要求1所述的芯片封装结构的制作方法，其特征在于，在所述多晶粒封装结构中每一晶粒的正面形成再布线层，所述外引脚形成在所述再布线层上；或在所述多晶粒封装结构中每一晶粒的正面依次形成再布线层以及扇出线路，所述外引脚形成在所述扇出线路上。

5.根据权利要求1所述的芯片封装结构的制作方法，其特征在于，形成再布线层包括：

在所暴露的每一晶粒的正面以及第一塑封层上形成光刻胶层；

曝光显影所述光刻胶层，去除第一预定区域的光刻胶层，所述第一预定区域对应所述晶粒正面的焊盘，所述焊盘与所述电互连结构电连接；

在所述第一预定区域填充金属层以形成所述再布线层；

灰化去除剩余的光刻胶层。

6.根据权利要求5所述的芯片封装结构的制作方法，其特征在于，在所述再布线层上形成扇出线路包括：

在所述第一塑封层以及再布线层上形成第三塑封层；

去除所述第三塑封层的部分区域形成通孔，所述通孔暴露所述再布线层；

在所述通孔内以及通孔外的第三塑封层上形成光刻胶层；

曝光显影所述光刻胶层保留第二预定区域的光刻胶层；

在所述第二预定区域的互补区域填充金属层以形成所述扇出线路；

灰化去除所述第二预定区域剩余的光刻胶层。

7.根据权利要求6所述的芯片封装结构的制作方法，其特征在于，在所述扇出线路上形成外引脚包括：

在所述扇出线路以及第三塑封层上形成光刻胶层；

曝光显影所述光刻胶层保留第三预定区域的光刻胶；

在所述第三预定区域的互补区域填充金属层以形成所述外引脚；

灰化去除所述第三预定区域剩余的光刻胶层；

在所述第三预定区域以及外引脚上形成所述第二塑封层。

8.根据权利要求5、6或7所述的芯片封装结构的制作方法，其特征在于，所述填充金属层采用电镀工艺完成。

9.根据权利要求5、6或7所述的芯片封装结构的制作方法，其特征在于，所述光刻胶层为感光膜。

10.根据权利要求1所述的芯片封装结构的制作方法，其特征在于，所述多晶粒封装结构的制作方法包括：

提供多个晶粒以及载板，将所述多个晶粒的正面固定于所述载板，在所述载板上形成包埋所述多个晶粒的第一塑封层，以形成所述多晶粒封装结构；

去除所述载板，暴露每一晶粒的正面。