[发明专利]半导体封装方法及半导体封装结构有效

专利信息
申请号: 201910538941.3 申请日: 2019-06-20
公开(公告)号: CN111599700B 公开(公告)日: 2022-08-26
发明(设计)人: 霍炎;陈莉 申请(专利权)人: 矽磐微电子(重庆)有限公司
主分类号: H01L21/56 分类号: H01L21/56;H01L21/60;H01L23/31;H01L23/488
代理公司: 北京博思佳知识产权代理有限公司 11415 代理人: 张相钦
地址: 401331 重*** 国省代码: 重庆;50
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摘要:
搜索关键词: 半导体 封装 方法 结构
【说明书】:

本申请提供一种半导体封装方法及半导体封装结构。其中,半导体封装方法包括形成具有第一金属连接件的载板,所述第一金属连接件自所述载板的上表面向内延伸,且所述第一金属连接件呈平板状;将芯片及金属件间隔设置于所述载板;其中,所述第一金属连接件连接所述金属件下表面与所述芯片下表面的功能端;在所述载板之上对所述芯片及所述金属件进行封装,形成第一包封层;在所述芯片之上设置穿过所述第一包封层的第二金属连接件,在所述金属件之上设置穿过所述第一包封层的第三金属连接件;其中,所述第二金属连接件与所述芯片上表面的功能端连接,所述第三金属连接件与所述金属件连接。

技术领域

本申请涉及一种半导体技术领域,尤其涉及一种半导体封装方法及半导体封装结构。

背景技术

在半导体封装技术中,对多个芯片进行封装,某些芯片两面均需要引出互联。对于此类半导体产品进行封装时,通常采用铝线,铜带,或多根焊接线等通过焊接和键合等工艺实现互联,或采用无引线封装通过孔内金属化实现互联。然而,采用铝线,铜带,或多根焊接线等实现芯片两面互联,其封装后产品电性能较差。而采用无引线封装,通过孔内金属化实现互联,其通常受限于激光打孔的深度和直径等的因素,制造工艺复杂。

发明内容

本申请的一个方面提供一种半导体封装方法,包括:

形成具有第一金属连接件的载板,所述第一金属连接件自所述载板的上表面向内延伸,且所述第一金属连接件呈平板状;

将芯片及金属件间隔设置于所述载板;其中,所述第一金属连接件连接所述金属件下表面与所述芯片下表面的功能端;

在所述载板之上对所述芯片及所述金属件进行封装,形成第一包封层;

在所述芯片之上设置穿过所述第一包封层的第二金属连接件,在所述金属件之上设置穿过所述第一包封层的第三金属连接件;其中,所述第二金属连接件与所述芯片上表面的功能端连接,所述第三金属连接件与所述金属件连接。

本实施例所提供的半导体封装方法,通过与芯片间隔设置于载板之上的金属件实现芯片两面的互联,有利于提高封装后产品的电性能。由于第一金属连接件呈平板状,使得多个芯片及金属件设置于载板之上时,呈同层设置,使得载板上的芯片及金属件设置的较为平稳,不易倾斜,便于将芯片及金属件设于载板之上,且有利于后续操作。

可选的,所述芯片的上表面与所述金属件的上表面位于同一平面。

本实施例所提供的半导体封装方法,使得设于芯片上表面的第二金属连接件及设于金属件上表面的第三金属连接件的纵向尺寸相同,二者结构相同或大致相同,从而有利于保证芯片上表面的第二金属连接件及金属件上表面的第二金属连接件的设置工艺流程的一致性,便于产品的制造及生产,且第二金属连接件及第三金属连接件结构更加稳定,有利于提高封装后产品的良率。

可选的,所述第二金属连接件包括第一连接部,所述第三金属连接件包括第三连接部,所述在所述芯片之上设置穿过所述第一包封层的第二金属连接件,在所述金属件之上设置穿过所述第一包封层的第三金属连接件包括:

在所述第一包封层开设与所述芯片上表面的功能端相对应的第二连接件开孔以及与所述金属件的上表面对应的第三连接件开孔;

在所述第二连接件开孔中设置第一连接部,在所述第三连接件开孔中设置第三连接部。

本实施例所提供的半导体封装方法,使得第二连接件开孔的深度及第三连接件开孔的深度相同,有利于保证第二连接件开孔及第三连接件开孔的设置工艺流程的一致性,便于产品的制造及生产,有利于提高产品生产效率。

可选的,所述第二金属连接件包括与所述第一连接部相连的第二连接部,所述第三金属连接件包括与所述第三连接部相连的第四连接部;在所述第二连接件开孔中设置第一连接部,在所述第三连接件开孔中设置第三连接部之后,所述方法包括:

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