[发明专利]半导体封装方法及半导体封装结构

权利要求书

1.一种半导体封装方法，其特征在于，其包括：

形成具有第一金属连接件的载板，所述第一金属连接件自所述载板的上表面向内延伸，且所述第一金属连接件呈平板状；所述载板包括第一载板层和第二载板层；所述形成具有第一金属连接件的载板包括：在基板之上形成第一载板层；在所述第一载板层远离所述基板的一侧设置第一金属连接件；对所述第一金属连接件进行塑封，形成第二载板层，所述第一载板层和所述第二载板层材料相同并且融为一体；去除所述基板；

将芯片及金属件间隔设置于所述载板；其中，所述第一金属连接件连接所述金属件下表面与所述芯片下表面的功能端；

在所述载板之上对所述芯片及所述金属件进行封装，形成第一包封层；

在所述芯片之上设置穿过所述第一包封层的第二金属连接件，在所述金属件之上设置穿过所述第一包封层的第三金属连接件；其中，所述第二金属连接件与所述芯片上表面的功能端连接，所述第三金属连接件与所述金属件连接。

2.如权利要求1所述的半导体封装方法，其特征在于，所述芯片的上表面与所述金属件的上表面位于同一平面。

3.如权利要求1所述的半导体封装方法，其特征在于，所述第二金属连接件包括第一连接部，所述第三金属连接件包括第三连接部，所述在所述芯片之上设置穿过所述第一包封层的第二金属连接件，在所述金属件之上设置穿过所述第一包封层的第三金属连接件包括：

在所述第一包封层开设与所述芯片上表面的功能端相对应的第二连接件开孔以及与所述金属件的上表面对应的第三连接件开孔；

在所述第二连接件开孔中设置第一连接部，在所述第三连接件开孔中设置第三连接部。

4.如权利要求3所述的半导体封装方法，其特征在于，所述第二金属连接件包括与所述第一连接部相连的第二连接部，所述第三金属连接件包括与所述第三连接部相连的第四连接部；在所述第二连接件开孔中设置第一连接部，在所述第三连接件开孔中设置第三连接部之后，所述方法包括：

在所述第一连接部之上设置第二连接部，在所述第三连接部之上设置第四连接部；其中，所述第二连接部的横截面尺寸大于所述第一连接部的横截面尺寸，所述第四连接部的横截面尺寸大于所述第三连接部的横截面尺寸。

5.如权利要求1所述的半导体封装方法，其特征在于，所述在所述第一载板层远离所述基板的一侧设置第一金属连接件包括：

在所述第一载板层远离所述基板的一侧形成第一金属层；

在所述第一金属层之上形成第二金属层；

去除至少部分所述第一金属层和所述第二金属层形成第一金属连接件。

6.如权利要求1所述的半导体封装方法，其特征在于，所述在所述第一载板层远离所述基板的一侧设置第一金属连接件包括：

在所述第一载板层远离所述基板的一侧形成第一金属层；

在所述第一金属层之上形成第二金属层；

在所述第二金属层上形成间隔的第三金属层；

去除第三金属层间隔所对应的第一金属层和第二金属层，形成第一金属连接件。

7.如权利要求1所述的半导体封装方法，其特征在于，在去除所述基板之后，所述方法包括：

对所述第二载板层进行减薄，露出所述第一金属连接件。

8.如权利要求1所述的半导体封装方法，其特征在于，在所述芯片之上设置穿过所述第一包封层的第二金属连接件，在所述金属件之上设置穿过所述第一包封层的第三金属连接件之后，所述方法包括：

在所述第一包封层之上对所述第二金属连接件及第三金属连接件进行塑封，形成第二包封层；

对所述第二包封层进行减薄，将所述第二金属连接件的上表面及所述第三金属连接件的上表面外露。

9.一种半导体封装结构，所述半导体封装结构由如权利要求1-8中任一项所述的半导体封装方法制备，其特征在于，其包括：

载板，具有第一金属连接件，所述第一金属连接件自所述载板的上表面向内延伸；所述载板包括第一载板层和第二载板层；所述第二载板层位于所述第一载板层的上方，且所述第一载板层和所述第二载板层材料相同并且融为一体，所述第一金属连接件位于所述第二载板层中并自所述第二载板层的上表面外露；

芯片及金属件，间隔设于所述载板之上；其中，所述第一金属连接件连接所述金属件下表面与所述芯片下表面的功能端；

第一包封层，设于所述载板之上，包封所述芯片及所述金属件；

第二金属连接件，穿过所述第一包封层与所述芯片上表面的功能端连接；

第三金属连接件，穿过所述第一包封层与所述金属件连接。