[发明专利]一种闪存器件的制造方法

说明书

本申请提供一种闪存器件的制造方法，衬底上形成有浮栅层，浮栅层上形成有图案化的栅堆叠层，栅堆叠层一侧为擦除栅区，另一侧为字线区，在栅堆叠层的侧壁上可以形成沿着侧壁由内至外依次层叠的N个子侧墙，去除字线区的侧墙，以擦除栅区的侧墙为掩蔽，进行浮栅层的刻蚀，以形成浮栅，这样，在每一次阶梯成形工艺中可以去除一个子侧墙，并以剩下的子侧墙为掩蔽，各向异性刻蚀去除部分厚度的浮栅，依次进行M次阶梯成形工艺，去除剩余的子侧墙，以在擦除栅区一侧的浮栅中形成阶梯结构，由于擦除栅区一侧的浮栅为阶梯结构，则擦除栅区一侧的浮栅具有更多的尖角，这样在擦除栅上施加电压，将更容易擦除浮栅中的电子，擦除效率得以提高。

技术领域

本申请涉及半导体领域，特别涉及一种闪存器件的制造方法。

背景技术

随着半导体技术的不断发展，存储器得到了广泛的应用。浮栅型闪存是一种非易失性存储器，具有集成度高、存储速度快、易于擦除和重写等优点。

而随着闪存的应用越来越广泛，将闪存嵌入其他的应用系统芯片中成为闪存发展的另一个主要方向，在嵌入式的闪存中，通常采用分立栅的闪存器件，其具有低编程电压、编程效率高的优点，分立栅的闪存器件中的浮栅为非对称结构，一侧的浮栅伸出控制栅一部分，该侧浮栅的侧面将形成擦除栅。在该闪存器件中，通过在擦除栅上施加偏压，擦除浮栅中存储的电子，擦除的效率是衡量器件性能的重要指标。

发明内容

有鉴于此，本申请的目的在于提供一种闪存器件的制造方法，提高闪存器件的擦除效率。

为实现上述目的，本申请有如下技术方案：

本申请实施例提供了一种闪存器件的制造方法，包括：

提供衬底，所述衬底上形成有浮栅层，所述浮栅层上形成有图案化的栅堆叠层，所述栅堆叠层包括依次层叠的隔离层和控制栅，所述栅堆叠层一侧为擦除栅区、另一侧为字线区；

在所述栅堆叠层的侧壁上形成侧墙，所述侧墙包括沿所述侧壁由内至外依次层叠的N个子侧墙，所述N≥2且为自然数；

去除所述字线区的侧墙，并以所述擦除栅区的侧墙为掩蔽，进行所述浮栅层的刻蚀，以形成浮栅；

依次进行M次阶梯成形工艺，以在所述擦除栅区一侧的浮栅中形成阶梯结构，所述M≤N-1，其中，第m次阶梯成形工艺包括：去除第N+1-m个子侧墙，并以剩余的子侧墙为掩蔽，各向异性刻蚀去除部分厚度的浮栅，所述m从1至M；

去除剩余的子侧墙。

可选的，在所述去除第N+1-m个子侧墙的步骤中，所述第N+1-m个子侧墙与剩余的子侧墙具有刻蚀选择性。

可选的，在所述栅堆叠层的侧壁上形成侧墙之前，所述栅堆叠层的侧壁上还形成有绝缘层。

可选的，所述在所述栅堆叠层的侧壁上形成侧墙，包括：

依次进行N个子侧墙的侧墙工艺，以在所述栅堆叠层的侧壁上形成所述侧墙。

可选的，所述浮栅层与衬底之间还形成有栅介质层，在所述以所述擦除栅区的侧墙为掩蔽，进行所述浮栅层的刻蚀的步骤中，还包括：

去除所述浮栅之外的栅介质层。

可选的，该方法还包括：

形成遂穿氧化层，所述遂穿氧化物层覆盖所述擦除栅区一侧浮栅暴露的表面；

在所述擦除栅区上形成与所述遂穿氧化物层相接的擦除栅，以及在所述字线区形成字线。

可选的，所述各向异性刻蚀为反应离子刻蚀。

可选的，所述N为2，所述M为1。