[发明专利]一种闪存器件的制造方法

权利要求书

1.一种闪存器件的制造方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底上形成有浮栅层，所述浮栅层上形成有图案化的栅堆叠层，所述栅堆叠层包括依次层叠的隔离层和控制栅，所述栅堆叠层一侧为擦除栅区、另一侧为字线区；

在所述栅堆叠层的侧壁上形成侧墙，所述侧墙包括沿所述侧壁由内至外依次层叠的N个子侧墙，所述N≥2且为自然数；

去除所述字线区的侧墙，并以所述擦除栅区的侧墙为掩蔽，进行所述浮栅层的刻蚀，以形成浮栅；

依次进行M次阶梯成形工艺，以在所述擦除栅区一侧的浮栅中形成阶梯结构，所述M≤N-1，其中，第m次阶梯成形工艺包括：去除第N+1-m个子侧墙，并以剩余的子侧墙为掩蔽，各向异性刻蚀去除部分厚度的浮栅，所述m从1至M；

去除剩余的子侧墙。

2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在所述去除第N+1-m个子侧墙的步骤中，所述第N+1-m个子侧墙与剩余的子侧墙具有刻蚀选择性。

3.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在所述栅堆叠层的侧壁上形成侧墙之前，所述栅堆叠层的侧壁上还形成有绝缘层。

4.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述在所述栅堆叠层的侧壁上形成侧墙，包括：

依次进行N个子侧墙的侧墙工艺，以在所述栅堆叠层的侧壁上形成所述侧墙。

5.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述浮栅层与所述衬底之间还形成有栅介质层，在所述以所述擦除栅区的侧墙为掩蔽，进行所述浮栅层的刻蚀的步骤中，还包括：

去除所述浮栅之外的栅介质层。

6.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，还包括：

形成遂穿氧化层，所述遂穿氧化物层覆盖所述擦除栅区一侧浮栅暴露的表面；

在所述擦除栅区上形成与所述遂穿氧化物层相接的擦除栅，以及在所述字线区形成字线。

7.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述各向异性刻蚀为反应离子刻蚀。

8.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述N为2，所述M为1。

9.根据权利要求8所述的制造方法，其特征在于，第1个子侧墙的材料为氧化硅和氮化硅中的一种，第2个子侧墙的材料为氧化硅和氮化硅中的另一种。