[发明专利]一种基于陶瓷填料的高介电常数复合薄膜材料的制备方法

权利要求书

1.一种基于陶瓷填料的高介电常数复合薄膜材料的制备方法，其特征在于：步骤一、将基体聚合物加入到极性溶剂中，并在40～80℃温度下至完全溶解，形成聚合物溶液；

步骤二、将陶瓷填料加入到步骤一得到的聚合物溶液中，搅拌，超声振荡，形成初始悬浮液；

步骤三、在步骤二获得的悬浮液中滴入偶联剂，充分搅拌，超声振荡，循环2～5次，形成稳定的偶联悬浮液；

步骤四、取步骤三所得的偶联悬浮液，涂覆到流延承载片上；流延承载片上覆盖有铝箔；然后将流延承载片置于60～120℃温度下干燥，去除混合悬浮液中的极性溶剂，流延承载片上形成雏形薄膜；

步骤五、从流延承载片上取下雏形薄膜；并将雏形薄膜置于180～250℃的烘箱中熔融60min～4h，随后淬火30min～1h，得到复合薄膜材料。

2.根据权利要求1所述的一种基于陶瓷填料的高介电常数复合薄膜材料的制备方法，其特征在于：步骤一中，搅拌时长为6～12h。

3.根据权利要求1所述的一种基于陶瓷填料的高介电常数复合薄膜材料的制备方法，其特征在于：步骤一中，所得聚合物溶液的溶液浓度在3～100g/L之间。

4.根据权利要求1所述的一种基于陶瓷填料的高介电常数复合薄膜材料的制备方法，其特征在于：步骤一中极性溶剂为N,N-二甲基甲酰胺、N-甲基吡咯烷酮或二甲基乙酰胺的分析纯溶剂；基体聚合物采用为聚偏氟乙烯、P(VDF-CTFE)、P(VDF-TrFE)、P(VDF-CTFE-TrFE)或P(VDF-HFP)。

5.根据权利要求1所述的一种基于陶瓷填料的高介电常数复合薄膜材料的制备方法，其特征在于：步骤二中，搅拌、超声振荡循环2～5次。

6.根据权利要求1所述的一种基于陶瓷填料的高介电常数复合薄膜材料的制备方法，其特征在于：步骤二中，每升聚合物溶液加入1～100g陶瓷填料；陶瓷填料为纳米级陶瓷填料，粒径R为1～600nm；所述的陶瓷填料的材料为TiO₂、SiO₂、BaTiO₃中的一种或多种。

7.根据权利要求1所述的一种基于陶瓷填料的高介电常数复合薄膜材料的制备方法，其特征在于：步骤三中加入的偶联剂质量为步骤二中加入陶瓷填料质量的0.1～20％；偶联剂采用质量浓度为99％的3-氨丙基三乙氧基硅烷溶液或质量浓度为97％的(3-疏基丙基)三甲氧基硅烷溶液。

8.根据权利要求1所述的一种基于陶瓷填料的高介电常数复合薄膜材料的制备方法，其特征在于：步骤三中，在悬浮液中加入偶联剂的方法具体步骤如下：

①.初始悬浮液在持续搅拌的同时，将偶联剂滴入到悬浮液中；

②.将步骤①所得的悬浮液，继续进行搅拌30min～4h，超声振荡10min～2h，循环2～5次，得到充分偶联处理后的混合溶液。

9.根据权利要求1所述的一种基于陶瓷填料的高介电常数复合薄膜材料的制备方法，其特征在于：步骤五中，淬火的环境为-196～0℃的液体。