[发明专利]电阻电路及人工智能芯片

权利要求书

1.一种电阻电路，包括：

一堆叠结构，包括交错堆叠的多个电阻材料层与多个绝缘层，其中该电阻电路包括电性串联或电性并联的至少两个单元电阻，该至少两个单元电阻分别定义在不同层的这些电阻材料层中。

2.如权利要求1所述的电阻电路，其中这些电阻材料层中至少一个为浮接。

3.如权利要求1所述的电阻电路，其中该至少两个单元电阻具有相同或不同的电阻值。

4.如权利要求1所述的电阻电路，其中该电阻电路的有效电阻是由该至少两个单元电阻造成。

5.如权利要求1所述的电阻电路，其中这些电阻材料层的外侧壁彼此对齐。

6.如权利要求1所述的电阻电路，更包括多个导体元件配置在该堆叠结构中，该至少两个单元电阻分别定义在这些导体元件的不同对之间。

7.如权利要求6所述的电阻电路，更包括一导体层，配置在该堆叠结构上，并电性连接这些导体元件，其中该导体层包括一输入导体部及一输出导体部，该电阻电路定义在该输入导体部与该输出导体部之间，其中该输入导体部是用作该电阻电路的一输入端，该输出导体部是用作该电阻电路的一输出端。

8.如权利要求7所述的电阻电路，其中该导体层更包括一连接导体部，电性连接这些导体元件中的至少两个，并电性连接在该输入导体部与该输出导体部之间，其中该连接导体部电性连接在不同高度的这些导体元件上。

9.如权利要求1所述的电阻电路，其中该至少两个单元电阻包括：

一单元电阻，定义在这些电阻材料层的一电阻材料层中；及

另一单元电阻，定义在这些电阻材料层的另一电阻材料层中，该一电阻材料层与该另一电阻材料层包含硅材料。

10.如权利要求9所述的电阻电路，其中该一单元电阻与该另一单元电阻具有不同的电阻值，且该一电阻材料层与该另一电阻材料层具有不同的掺杂杂质及/或掺杂浓度。

11.一种人工智能芯片，包括一类神经计算装置，该类神经计算装置包括：

一堆叠结构，包括交错堆叠的多个电阻材料层与多个绝缘层，其中该类神经计算装置包括一电阻电路，该电阻电路包括电性串联或电性并联的至少两个单元电阻，该至少两个单元电阻分别定义在不同层的这些电阻材料层中，该类神经计算装置包括多个突触单元，这些突触单元各包括该电阻电路。