[发明专利]低触发电压、高ESD电路在审
| 申请号： | 201910532899.4 | 申请日： | 2019-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN110349950A | 公开（公告）日： | 2019-10-18 |
| 发明（设计）人： | 曹小强;李大刚;岑远军;彭萧天 | 申请（专利权）人： | 成都华微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02 |
| 代理公司： | 成都惠迪专利事务所(普通合伙) 51215 | 代理人： | 刘勋 |
| 地址： | 610000 四川省成都市*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 掺杂区 触发结构 触发电压 连接端 触发 模拟集成电路 电路连接 工艺移植 接地端 控制端 电阻 串联 | ||
【权利要求书】：
1.低触发电压、高ESD电路，其特征在于，包括在PAD端到接地端之间顺次串联的第一P+掺杂区、第一N+掺杂区、第二P+掺杂区、第二N+掺杂区，第一N+掺杂区与触发结构连接端形成电路连接，触发结构连接端通过第一电阻与PAD端连接。
2.如权利要求1所述的低触发电压、高ESD电路，其特征在于，所述第二N+掺杂区通过顺次串联的第三P+掺杂区、第三N+掺杂区、第四P+掺杂区连接到接地端，第四P+掺杂区和接地端直接连接，第三N+掺杂区连接第二触发结构连接端，第二触发结构连接端通过第二电阻和接地端连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
