[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底及凸出于所述衬底的鳍部；

在所述衬底上形成隔离层，所述隔离层覆盖所述鳍部顶部；

采用回刻蚀工艺去除部分厚度所述隔离层，露出所述鳍部的部分侧壁；

在所述隔离层露出的所述鳍部侧壁上形成侧墙；

对所述隔离层覆盖的所述鳍部侧壁进行热氧化处理，形成氧化层；

去除所述侧墙；

循环进行回刻蚀工艺去除部分厚度所述隔离层、形成侧墙、形成氧化层及去除所述侧墙的步骤，直至在垂直于所述鳍部延伸方向上，所述鳍部顶部宽度与所述鳍部底部宽度相等，由所述鳍部顶部至所述鳍部底部，所述鳍部由若干个依次叠放的子鳍部组成，相邻所述子鳍部的侧壁相连构成锯齿状或波浪状的所述鳍部侧壁。

2.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，提供衬底及凸出于所述衬底的鳍部的工艺中，在垂直于所述鳍部延伸方向上，所述鳍部底部宽度大于所述鳍部顶部宽度。

3.如权利要求2所述的形成方法，其特征在于，循环次数等于或大于两次。

4.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述热氧化处理的工艺温度大于或等于800℃。

5.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述隔离层的材料为氧化硅。

6.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述侧墙的材料为氮化硅或氮氧化硅。

7.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，形成所述隔离层前，还包括：

在所述鳍部顶部形成硬掩膜层。

8.如权利要求7所述的形成方法，其特征在于，形成所述侧墙的工艺步骤包括：在所述隔离层顶部、所述鳍部侧壁、所述硬掩膜层顶部及侧壁形成侧墙膜；去除位于所述隔离层顶部及所述硬掩膜层顶部的侧墙膜，形成所述侧墙。

9.如权利要求8所述的形成方法，其特征在于，采用各向异性的干法刻蚀工艺，去除位于所述隔离层顶部及所述硬掩膜层顶部的侧墙膜。

10.一种半导体结构，其特征在于，包括：

衬底；

鳍部，凸出于所述衬底，在垂直于所述鳍部延伸方向上，所述鳍部顶部宽度与所述鳍部底部宽度相等，由所述鳍部顶部至所述鳍部底部，所述鳍部由若干个依次叠放的子鳍部组成，相邻所述子鳍部的侧壁相连构成锯齿状或波浪状的所述鳍部侧壁；

氧化层，覆盖所述鳍部部分侧壁，沿所述鳍部的顶部至所述鳍部的底部方向，覆盖不同所述子鳍部侧壁的所述氧化层的厚度逐渐增加；

隔离层，位于所述衬底上，所述隔离层覆盖所述氧化层的部分侧壁，所述隔离层顶部与位于最底端的所述子鳍部顶部齐平。