[发明专利]一种LED显示面板、其制备方法及显示装置有效
申请号: | 201910532354.3 | 申请日: | 2019-06-19 |
公开(公告)号: | CN110148607B | 公开(公告)日: | 2021-01-22 |
发明(设计)人: | 于勇;舒适;岳阳;黄海涛;李翔;徐传祥 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 郭润湘 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 led 显示 面板 制备 方法 显示装置 | ||
本发明公开了一种LED显示面板、其制备方法及显示装置,在形成挡墙的图形之前,先形成光电转换器,之后通过光刻工艺在光电转换器背离驱动背板一侧形成挡墙的图形,且在曝光时,向各光电转换器提供电压,挡墙位置处的曝光量根据挡墙所在区域的光电转换器的输出信号进行补偿。通过光电转换器监测各区域的实际曝光量,解决了现有技术中存在的曝光均匀性问题,使各个位置的挡墙的图形保持一致,从而使各个LED芯片的出光效率保证一致,提高显示面板出光均匀性。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤指一种LED显示面板、其制备方法及显示装置。
背景技术
随着技术的发展以及对显示的要求,微型发光二极管(Micro Light EmittingDiode,Micro-LED)是未来显示器件发展的趋势,其拥有液晶显示屏和有机电致发光显示面板无法比拟的优势,如超高对比度,超高色域,高发光效率,高亮度,低能耗等。
以标准的3840ⅹ2160分辨率的显示屏为例,共8294400个像素,对于RGB Micro-LED,共需要24883200个Micro-LED芯片,芯片尺寸仅在1μm~10μm左右,目前芯片都是先在蓝宝石基底上做好之后再通过巨量转移方式转移到驱动背板上,但是巨量转移技术目前还不成熟,良率较低,以按照良率为99.99%标准,对于3840ⅹ2160分辨率的显示屏来说,在巨量转移过程中有约2488个Micro-LED芯片失效。
因此,目前作为一种中间过渡技术,Mini-LED技术被提出且发展迅速,Mini-LED芯片的尺寸在100μm~200μm之间,因此其转移难度要相对小很多。
在现有的Mini-LED显示面板中,而为了提高芯片的出光效率,必须在每个芯片周围形成一层高反射率的挡墙材料,能够极大的减少出光损失,同时还能防止相邻间像素之间混色现象。
但是,目前高反射的挡墙材料均为添加有散射粒子的溶液,由于反射率一般要求90%以上,因此散射粒子的浓度非常高,因此在涂布挡墙材料之后,膜层内散射粒子浓度均匀性较差,在进行曝光工艺时,由于散射粒子对紫外光的散射作会导致整个膜层的曝光不均匀,从而导致挡墙的图形不一致,影响出光效率。
发明内容
有鉴于此,本发明实施例提供了一种LED显示面板、其制备方法及显示装置,用以解决现有技术中存在的曝光不均匀的问题。
本发明实施例提供的一种LED显示面板的制备方法,包括:
形成至少包括薄膜晶体管的驱动背板;
在所述驱动背板具有所述薄膜晶体管的一侧形成多个光电转换器;
在所述驱动背板具有所述薄膜晶体管的一侧形成LED芯片,且所述光电转换器位于相邻的所述LED芯片之间;
通过光刻工艺在所述光电转换器背离所述驱动背板一侧形成围绕各所述LED芯片的挡墙的图形,且在曝光时,向各所述光电转换器提供电压,所述挡墙的曝光量根据所述挡墙所在区域的所述光电转换器的输出信号进行补偿;其中,离所述驱动背板表面越近所述挡墙平行于所述驱动背板的横截面的面积越大。
可选地,在本发明实施例提供的制备方法中,通过光刻工艺在所述光电转换器背离所述驱动背板一侧形成围绕各所述LED芯片的挡墙的图形,具体包括:
形成覆盖所述LED芯片的挡墙膜层,其中,所述挡墙膜层的材料为掺有散射离子的负性光刻胶材料;
向各所述光电转换器提供电压;
采用曝光机对所述挡墙膜层进行曝光,并根据所述光电转换器的输出信号调节所述曝光机的曝光量,以使各所述光电转换器的输出信号与基准信号的差异在预设范围内;
对所述挡墙膜层进行显影,形成围绕各所述LED芯片的挡墙的图形。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的