[发明专利]一种OTP单片机量产可测试性集成电路及其设计方法

说明书

本发明涉及单片机技术领域，且公开了一种OTP单片机量产可测试性集成电路，包括，单片机内核、OTP模块、模拟比较器、ICP模块、XRAM模块，所述单片机内核电性连接OTP模块，所述单片机内核电性连接ICP模块，所述ICP模块电性连接模拟比较器，所述单片机内核电性连接XRAM模块。利用单片机内部集成的烧录OTP的ICP模块，同时利用XRAM电路没有擦写次数限制的特性，即可实现OTP单片机芯片级的量产测试，单片机正常工作时，与其它单片机一样，从程序存储器里读取程序，单片机量产测试时，先令单片机进入ICP模式，然后通过单片机的ICP接口向其内部的XRAM里写入量产测试程序，最后单片机把XRAM作为程序存储器，即从XRAM里读取量产测试程序，对芯片内部功能模块进行测试。

技术领域

本发明涉及单片机技术领域，具体为一种OTP单片机量产可测试性集成电路及其设计方法。

背景技术

目前，单片机的程序存储器类型主要有MASK、OTP和FLASH三种，成本从低到高依次为MASK、OTP和FLASH。MASK的成本虽然最低，但是无法实现产品上市零等待(zero time tomarket)，所以具有一定的应用局限性；而OTP和FLASH都可以实现产品上市零等待；对于成熟产品的应用，OTP相比FLASH具有一定的成本优势。而且随着应用产品功能多样性的不断增加，单片机内部都会集成有XRAM数据存储器。

在单片机的研发流程中，如何对单片机进行芯片级量产测试是必须考虑的关键问题之一，可测试性设计在单片机整个开发环节中占据着重要的地位。对于FLASH单片机，由于FLASH可以实现几千、乃至几万次的擦写次数，所以可以通过往FLASH中烧录测试程序进行芯片级的量产测试，等测试结束后再擦除FLASH即可。而对于OTP单片机，由于OTP仅能烧录一次，所以不能采用类似FLASH单片机的量产测试方法。

发明内容

(一)解决的技术问题

针对现有技术的不足，本发明提供了一种OTP单片机量产可测试性集成电路及其设计方法，解决了技术背景提出的部分技术问题。

(二)技术方案

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种OTP单片机量产可测试性集成电路，包括，单片机内核、OTP模块、模拟比较器、ICP模块、XRAM模块，所述单片机内核电性连接OTP模块，所述单片机内核电性连接ICP模块，所述ICP模块电性连接模拟比较器，所述单片机内核电性连接XRAM模块。

优选的，所述单片机内核为8051内核。

优选的，所述OTP模块为OTP存储器。

一种OTP单片机量产可测试性集成电路，所述单片机内核量产可测试性的设计方法包括以下步骤：

步骤1：测集成电路施加高于6.5V电压于单片机内核的VPP管脚，令单片机内核进入ICP模式；

步骤2：测试板通过ICP模块接口读取单片机内核ID号，确保单片机内核能够进入ICP模块；否则判断为不良品；

步骤3：测试板通过ICP模块接口将测试程序写入XRAM模块，并读取XRAM值，将读出值与写入值进行比较，确保测试程序能够正确写入XRAM模块；否则判断为不良品；

步骤4：测试板通过ICP模块接口向单片机内核发送“执行量产测试”命令，单片机内核从XRAM中读取指令，运行量产测试程序；

步骤5：测试板检测单片机内核各管脚上的相关输出信号与单片机内核合格容限值进行比较，在容限值范围内的为良品；否则判断为不良品；

步骤6：当前集成电路测试结束。

(三)有益效果

与现有技术相比，本发明提供了一种OTP单片机量产可测试性集成电路及其设计方法，具备以下有益效果：