[发明专利]一种空穴注入材料及OLED器件

说明书

本发明提供了一种空穴注入材料及OLED器件，具有硅杂环化合物和氰基、氟基、三氟甲基、或氰基、氟基、三氟甲基取代的烷基、烷氧基、芳基、杂芳基或芳氧基。本发明的技术方案具有良好的交叉超共轭特性，结合氰基、氟基等强吸电基团和硅基骨架，能够赋予分子较强的还原电位和良好的热稳定性，从而辅助空穴传输层高效地进行空穴注入。

技术领域

本发明涉及OLED器件领域，具体地说，涉及一种空穴注入材料及具有其的OLED器件。

背景技术

有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)又称为有机电激光显示、有机发光半导体。OLED显示技术具有自发光、广视角、几乎无穷高的对比度、较低耗电、极高反应速度等优点。

能级匹配对于有机电致发光器件至关重要，以经典的有机电致发光器件为例，其层叠结构包括：阴极、电子传输层、发光层、空穴传输层以及阳极。

一般使用ITO(Indium Tin Oxides，铟锡金属氧化物)作为阳极，但是它的功函数较高，与大部分空穴传输材料的能级相差达到0.4eV左右。因此，如果在阳极以及空穴传输层之间加入一层空穴注入层，一方面可以增加电荷的注入，另一方面还可以提高器件的整体效率以及寿命。

当然，将某些强氧化剂掺杂到空穴传输层中作为空穴注入层也是另一种提高有机电致发光器件的空穴注入效率的途径。不过该方法对于主体材料以及掺杂材料的能级有要求，一般而言，主体材料的HOMO(Highest Occupied Molecular Orbital，最高占据分子轨道)能级需要与客体材料的LUMO(Lowest Unoccupied Molecular Orbital，最低未占分子轨道)能级接近，这样一来，HOMO能级的电子就能更跳跃至掺杂剂的LUMO能级，从而使的空穴传输层形成自由空穴，实现器件电导率的提升。同时，掺杂还可以使界面能带发生弯曲，空穴就能够以穿隧的方式注入。对于掺杂剂的选择，路易酸型金属络合物、卤素、轴烯以及醌类都是比较常见的，但金属络合物以及卤素在器件加工时会存在不稳定等缺点。而轴烯类化合物在合成中步骤较多，成本较高。因此，该方法不能很好的提高有机电致发光器件的空穴注入效率。

因此，本发明提供了一种新型的空穴注入材料及具有其的OLED器件。

发明内容

针对现有技术中的问题，本发明的目的在于提供一种空穴注入材料及具有其的OLED器件，具有良好的交叉超共轭特性，结合氰基、氟基等强吸电基团和硅基骨架，能够赋予分子较强的还原电位和良好的热稳定性，从而辅助空穴传输层高效地进行空穴注入。

根据本发明的一个方面，提供了一种空穴注入材料，具有式I所示的结构的化合物：

其中，为硅杂环化合物，R选自氰基、氟基、三氟甲基、或氰基、氟基、三氟甲基取代的烷基、烷氧基、芳基、杂芳基或芳氧基。

优选的：所述为单杂环化合物或稠杂环化合物。

优选的：所述为硅杂三元环化合物、硅杂四元环化合物、硅杂五元环化合物或硅杂六元环化合物。

优选的：所述式I所示的结构的化合物为：

其中，R1-R8各自选自氰基、氟基、三氟甲基、或氰基、氟基、三氟甲基取代的烷基、烷氧基、芳基、杂芳基或芳氧基，R1-R8可以相同也可以不同。

优选的：所述式I所示的结构的化合物为：

其中，R1-R8各自选自氰基、氟基、三氟甲基、或氰基、氟基、三氟甲基取代的烷基、烷氧基、芳基、杂芳基或芳氧基，R1-R8可以相同也可以不同。

优选的：所述式I所示的结构的化合物为：

优选的：所述式I所示的结构的化合物为：