[发明专利]一种空穴注入材料及OLED器件在审
| 申请号： | 201910526273.2 | 申请日： | 2019-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN112094287A | 公开（公告）日： | 2020-12-18 |
| 发明（设计）人： | 俞云海 | 申请（专利权）人： | 上海和辉光电有限公司 |
| 主分类号： | C07F7/08 | 分类号： | C07F7/08;C09K11/06;H01L51/50;H01L51/54 |
| 代理公司： | 上海隆天律师事务所 31282 | 代理人： | 臧云霄;朱俊跃 |
| 地址： | 201506 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 空穴 注入 材料 oled 器件 | ||
1.一种空穴注入材料，其特征在于，具有式I所示的结构的化合物：
其中，为硅杂环化合物，R选自氰基、氟基、三氟甲基、或氰基、氟基、三氟甲基取代的烷基、烷氧基、芳基、杂芳基或芳氧基。
2.根据权利要求1所述的空穴注入材料，其特征在于：所述为单杂环化合物或稠杂环化合物。
3.根据权利要求2所述的空穴注入材料，其特征在于：所述为硅杂三元环化合物、硅杂四元环化合物、硅杂五元环化合物或硅杂六元环化合物。
4.根据权利要求3所述的空穴注入材料，其特征在于：所述式I所示的结构的化合物为：
其中，R1-R8各自选自氰基、氟基、三氟甲基、或氰基、氟基、三氟甲基取代的烷基、烷氧基、芳基、杂芳基或芳氧基，R1-R8可以相同也可以不同。
5.根据权利要求2所述的空穴注入材料，其特征在于：所述式I所示的结构的化合物为：
其中，R1-R8各自选自氰基、氟基、三氟甲基、或氰基、氟基、三氟甲基取代的烷基、烷氧基、芳基、杂芳基或芳氧基，R1-R8可以相同也可以不同。
6.根据权利要求4所述的空穴注入材料，其特征在于：所述式I所示的结构的化合物为：
7.根据权利要求4所述的空穴注入材料，其特征在于：所述式I所示的结构的化合物为：
8.根据权利要求4所述的空穴注入材料，其特征在于：所述式I所示的结构的化合物为：
9.根据权利要求5所述的空穴注入材料，其特征在于：所述式I所示的结构的化合物为：
10.一种OLED器件，其特征在于：所述OLED器件中镀有根据权利要求1-9任一项所述的空穴注入材料。
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